กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

ชื่อเรื่อง: Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
ชื่อเรื่องอื่นๆ: Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
ผู้แต่ง: Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
วันที่เผยแพร่: 2011
Date of entry: 10-พฤษ-2011
สำนักพิมพ์: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Place of the edition/event: Тернопіль, Україна
UDC: 621.382
คำสำคัญ: гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
บทคัดย่อ: The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Content type: Preprint
ปรากฏในกลุ่มข้อมูล:Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

แฟ้มในรายการข้อมูลนี้:
แฟ้ม รายละเอียด ขนาดรูปแบบ 
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFดู/เปิด
gul.djvu14,36 kBDjVuดู/เปิด
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngดู/เปิด


รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น