Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

Název: Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
Další názvy: Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
Autoři: Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
Datum vydání: 2011
Date of entry: 10-kvě-2011
Nakladatel: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Place of the edition/event: Тернопіль, Україна
UDC: 621.382
Klíčová slova: гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
Abstrakt: The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Content type: Preprint
Vyskytuje se v kolekcích:Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
gul.djvu14,36 kBDjVuZobrazit/otevřít
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngZobrazit/otevřít


Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.