Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

Titre: Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
Autre(s) titre(s): Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
Auteur(s): Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
Date de publication: 2011
Date of entry: 10-mai-2011
Editeur: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Place of the edition/event: Тернопіль, Україна
UDC: 621.382
Mots-clés: гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
Résumé: The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI/URL: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Content type: Preprint
Collection(s) :Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFVoir/Ouvrir
gul.djvu14,36 kBDjVuVoir/Ouvrir
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.