Använd denna länk för att citera eller länka till detta dokument: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

Titel: Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
Övriga titlar: Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
Författare: Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
Utgivningsdatum: 2011
Date of entry: 10-maj-2011
Utgivare: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Place of the edition/event: Тернопіль, Україна
UDC: 621.382
Nyckelord: гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
Sammanfattning: The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Content type: Preprint
Samling:Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

Fulltext och övriga filer i denna post:
Fil Beskrivning StorlekFormat 
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFVisa/Öppna
gul.djvu14,36 kBDjVuVisa/Öppna
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngVisa/Öppna


Materialet i DSpace är upphovsrättsligt skyddat och får ej användas i kommersiellt syfte!