このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
タイトル: | Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик |
その他のタイトル: | Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge |
著者: | Ільченко, Василь Васильович Лісняк, Павло Григорович Гуль, Руслан Володимирович |
発行日: | 2011 |
Date of entry: | 10-5月-2011 |
出版者: | Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя |
Place of the edition/event: | Тернопіль, Україна |
UDC: | 621.382 |
キーワード: | гетероструктури бар’єр Шоттки вольт-амперна характеристика |
抄録: | The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю |
URI: | http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008 |
Content type: | Preprint |
出現コレクション: | Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011) |
このアイテムのファイル:
ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
---|---|---|---|---|
gul.pdf | 224,89 kB | Adobe PDF | 見る/開く | |
gul.djvu | 14,36 kB | DjVu | 見る/開く | |
gul__COVER.png | 162,82 kB | image/png | 見る/開く |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。