Mesedez, erabili identifikatzaile hau item hau aipatzeko edo estekatzeko: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

Titulua: Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
Beste titulu batzuk: Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
Egilea: Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
Gordailuaren-data: 2011
Date of entry: 10-May-2011
Argitalpen: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Place of the edition/event: Тернопіль, Україна
UDC: 621.382
Gako-hitzak: гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
Laburpena: The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Content type: Preprint
Bildumetan azaltzen da:Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

Item honetako fitxategiak:
Fitxategia Deskribapena TamainaFormatua 
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFBistaratu/Ireki
gul.djvu14,36 kBDjVuBistaratu/Ireki
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngBistaratu/Ireki


DSpaceko itemak copyright bidez babestuta daude, eskubide guztiak gordeta, baldin eta kontrakoa adierazten ez bada.