Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

Títol: Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
Altres títols: Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
Autor: Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
Data de publicació: 2011
Date of entry: 10-de -2011
Editorial: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Place of the edition/event: Тернопіль, Україна
UDC: 621.382
Paraules clau: гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
Resum: The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Content type: Preprint
Apareix a les col·leccions:Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

Arxius per aquest ítem:
Arxiu Descripció MidaFormat 
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFVeure/Obrir
gul.djvu14,36 kBDjVuVeure/Obrir
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngVeure/Obrir


Els ítems de DSpace es troben protegits per copyright, amb tots els drets reservats, sempre i quan no s’indiqui el contrari.