Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

Titel: Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
Sonstige Titel: Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
Autor(en): Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
Erscheinungsdatum: 2011
Date of entry: 10-Mai-2011
Herausgeber: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Place of the edition/event: Тернопіль, Україна
UDC: 621.382
Stichwörter: гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
Zusammenfassung: The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Content type: Preprint
Enthalten in den Sammlungen:Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

Dateien zu dieser Ressource:
Datei Beschreibung GrößeFormat 
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFÖffnen/Anzeigen
gul.djvu14,36 kBDjVuÖffnen/Anzeigen
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngÖffnen/Anzeigen


Alle Ressourcen in diesem Repository sind urheberrechtlich geschützt, soweit nicht anderweitig angezeigt.