Моля, използвайте този идентификатор за цитиране или линк към този публикация: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

Заглавие: Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
Други Заглавия: Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
Автори: Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
Дата на Публикуване: 2011
Date of entry: 10-Май-2011
Издател: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Place of the edition/event: Тернопіль, Україна
UDC: 621.382
Ключови Думи: гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
Резюме: The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Content type: Preprint
Показва се в Колекции:Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

Файлове в Този Публикация:
Файл Описание РазмерФормат 
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFИзглед/Отваряне
gul.djvu14,36 kBDjVuИзглед/Отваряне
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngИзглед/Отваряне


Публикацияте в DSpace са защитени с авторско право, с всички права запазени, освен ако не е указно друго.