Please use this identifier to cite or link to this item: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

Title: Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
Other Titles: Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
Authors: Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
Issue Date: 2011
Publisher: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Place of the edition/event: Тернопіль, Україна
UDC: 621.382
Keywords: гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
Abstract: The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Content type: Preprint
Appears in Collections:Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFView/Open
gul.djvu14,36 kBDjVuView/Open
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.