Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

Назва: Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
Інші назви: Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
Автори: Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
Дата публікації: 2011
Дата внесення: 10-тра-2011
Видавництво: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Місце видання, проведення: Тернопіль, Україна
УДК: 621.382
Теми: гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
Короткий огляд (реферат): The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Тип вмісту: Preprint
Розташовується у зібраннях:Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити
gul.djvu14,36 kBDjVuПереглянути/відкрити
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.