Link lub cytat. http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

Tytuł: Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
Inne tytuły: Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
Authors: Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
Data wydania: 2011
Date of entry: 10-maj-2011
Wydawca: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Place edycja: Тернопіль, Україна
UDC: 621.382
Słowa kluczowe: гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
Abstract: The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Typ zawartości: Preprint
Występuje w kolekcjach:Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

Pliki tej pozycji:
Plik Opis WielkośćFormat 
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFPrzeglądanie/Otwarcie
gul.djvu14,36 kBDjVuPrzeglądanie/Otwarcie
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngPrzeglądanie/Otwarcie


Pozycje DSpace są chronione prawami autorskimi