Link lub cytat.
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Tytuł: | Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик |
Inne tytuły: | Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge |
Authors: | Ільченко, Василь Васильович Лісняк, Павло Григорович Гуль, Руслан Володимирович |
Data wydania: | 2011 |
Date of entry: | 10-maj-2011 |
Wydawca: | Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя |
Place edycja: | Тернопіль, Україна |
UDC: | 621.382 |
Słowa kluczowe: | гетероструктури бар’єр Шоттки вольт-амперна характеристика |
Abstract: | The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю |
URI: | http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008 |
Typ zawartości: | Preprint |
Występuje w kolekcjach: | Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011) |
Pliki tej pozycji:
Plik | Opis | Wielkość | Format | |
---|---|---|---|---|
gul.pdf | 224,89 kB | Adobe PDF | Przeglądanie/Otwarcie | |
gul.djvu | 14,36 kB | DjVu | Przeglądanie/Otwarcie | |
gul__COVER.png | 162,82 kB | image/png | Przeglądanie/Otwarcie |
Pozycje DSpace są chronione prawami autorskimi