Använd denna länk för att citera eller länka till detta dokument: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

Titolo: Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
Titoli alternativi: Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
Autori: Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
Data: 2011
Date of entry: 10-mag-2011
Editore: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Place of the edition/event: Тернопіль, Україна
UDC: 621.382
Parole chiave: гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
Abstract: The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Content type: Preprint
È visualizzato nelle collezioni:Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

File in questo documento:
File Descrizione DimensioniFormato 
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFVisualizza/apri
gul.djvu14,36 kBDjVuVisualizza/apri
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngVisualizza/apri


Tutti i documenti archiviati in DSpace sono protetti da copyright. Tutti i diritti riservati.