Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Títol: | Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик |
Altres títols: | Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge |
Autor: | Ільченко, Василь Васильович Лісняк, Павло Григорович Гуль, Руслан Володимирович |
Data de publicació: | 2011 |
Date of entry: | 10-de -2011 |
Editorial: | Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя |
Place of the edition/event: | Тернопіль, Україна |
UDC: | 621.382 |
Paraules clau: | гетероструктури бар’єр Шоттки вольт-амперна характеристика |
Resum: | The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю |
URI: | http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008 |
Content type: | Preprint |
Apareix a les col·leccions: | Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011) |
Arxius per aquest ítem:
Arxiu | Descripció | Mida | Format | |
---|---|---|---|---|
gul.pdf | 224,89 kB | Adobe PDF | Veure/Obrir | |
gul.djvu | 14,36 kB | DjVu | Veure/Obrir | |
gul__COVER.png | 162,82 kB | image/png | Veure/Obrir |
Els ítems de DSpace es troben protegits per copyright, amb tots els drets reservats, sempre i quan no s’indiqui el contrari.