このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008

Título : Вплив енергетичного положення електронних станів межі поділу контактів дисиліцид металу - n-кремній на стабільність параметрів вoльт-амперних характеристик
Otros títulos : Influence of the electronic states of the division line on the parameters hetero-structures MoSi(2)-n-Si and WSi(2)-n-Si of volt-ampere characteristics electric charge
Autor : Ільченко, Василь Васильович
Лісняк, Павло Григорович
Гуль, Руслан Володимирович
Fecha de publicación : 2011
Date of entry: 10-may-2011
Editorial : Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Place of the edition/event: Тернопіль, Україна
UDC: 621.382
Palabras clave : гетероструктури
бар’єр Шоттки
вольт-амперна характеристика
Resumen : The work investigates the influence of the electronic states of the division line on the parameters of volt-ampere characteristics. It has been ascertained that the parameters of volt-ampere characteristics change under the action of reverse tension of certain duration and amplitude only in those contact structures which have empty electronic state close to Fermi level on the division line of metal-n-silicium. The mechanism of transfer of electric charge does not depend on the action of impulse and power of the current which goes through the division line is defined through the electronic states of the division lineю
URI : http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/1008
Content type: Preprint
Aparece en las colecciones: Ⅰ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2011)

Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
gul.pdf224,89 kBAdobe PDFVisualizar/Abrir
gul.djvu14,36 kBDjVuVisualizar/Abrir
gul__COVER.png162,82 kBimage/pngVisualizar/Abrir


Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.