閲覧統計
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| Вплив форми густини електронних станів на хімічний потенціал в узагальненій моделі Габбарда | 572 |
月別閲覧数
| 1月 2026 | 2月 2026 | 3月 2026 | 4月 2026 | 5月 2026 | 6月 2026 | 7月 2026 | |
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| Вплив форми густини електронних станів на хімічний потенціал в узагальненій моделі Габбарда | 0 | 13 | 9 | 13 | 21 | 20 | 18 |
ファイルダウンロード数
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| ConfAPTEPF_2012_Kramar_O_I-Vplyv_formy_hustyny_elektronnykh_156-158.pdf | 85 |
| ConfAPTEPF_2012_Kramar_O_I-Vplyv_formy_hustyny_elektronnykh_156-158.djvu | 39 |
| ConfAPTEPF_2012_Kramar_O_I-Vplyv_formy_hustyny_elektronnykh_156-158__COVER.png | 17 |
国別閲覧数
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| アメリカ合衆国 | 250 |
| ブラジル | 54 |
| オランダ | 40 |
| ドイツ | 35 |
| 中華人民共和国 | 24 |
| 日本 | 24 |
| ウクライナ | 21 |
| イギリス | 10 |
| ロシア | 10 |
| スウェーデン | 7 |
都市別閲覧数
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| San Ramon | 55 |
| Mountain View | 46 |
| Tokyo | 23 |
| Menlo Park | 18 |
| Louisville | 15 |
| San Jose | 9 |
| Kiev | 8 |
| Moscow | 7 |
| San Mateo | 7 |
| Hanoi | 6 |