閲覧統計
総閲覧数
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| Вплив форми густини електронних станів на хімічний потенціал в узагальненій моделі Габбарда | 415 |
月別閲覧数
| 4月 2025 | 5月 2025 | 6月 2025 | 7月 2025 | 8月 2025 | 9月 2025 | 10月 2025 | |
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| Вплив форми густини електронних станів на хімічний потенціал в узагальненій моделі Габбарда | 1 | 4 | 12 | 2 | 12 | 6 | 3 |
ファイルダウンロード数
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| ConfAPTEPF_2012_Kramar_O_I-Vplyv_formy_hustyny_elektronnykh_156-158.pdf | 69 |
| ConfAPTEPF_2012_Kramar_O_I-Vplyv_formy_hustyny_elektronnykh_156-158.djvu | 30 |
| ConfAPTEPF_2012_Kramar_O_I-Vplyv_formy_hustyny_elektronnykh_156-158__COVER.png | 17 |
国別閲覧数
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| アメリカ合衆国 | 215 |
| オランダ | 38 |
| ドイツ | 34 |
| 中華人民共和国 | 23 |
| 日本 | 22 |
| ウクライナ | 21 |
| ロシア | 10 |
| スウェーデン | 7 |
| オーストラリア | 6 |
| ベトナム | 6 |
都市別閲覧数
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|---|---|
| San Ramon | 55 |
| Mountain View | 40 |
| Tokyo | 21 |
| Menlo Park | 18 |
| Louisville | 15 |
| Kiev | 8 |
| Moscow | 7 |
| San Mateo | 7 |
| Hanoi | 6 |
| Kharkiv | 6 |