Zugriffsstatistik
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| Вплив форми густини електронних станів на хімічний потенціал в узагальненій моделі Габбарда | 572 |
Gesamtzugriffe pro Monat
| Januar 2026 | Februar 2026 | März 2026 | April 2026 | Mai 2026 | Juni 2026 | Juli 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Вплив форми густини електронних станів на хімічний потенціал в узагальненій моделі Габбарда | 0 | 13 | 9 | 13 | 21 | 20 | 18 |
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| ConfAPTEPF_2012_Kramar_O_I-Vplyv_formy_hustyny_elektronnykh_156-158.pdf | 85 |
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| ConfAPTEPF_2012_Kramar_O_I-Vplyv_formy_hustyny_elektronnykh_156-158__COVER.png | 17 |
Häufigste Länder
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|---|---|
| Vereinigte Staaten von Amerika | 250 |
| Brasilien | 54 |
| Niederlande | 40 |
| Deutschland | 35 |
| China | 24 |
| Japan | 24 |
| Ukraine | 21 |
| Vereinigtes Königreich | 10 |
| Russland | 10 |
| Schweden | 7 |
Häufigste Städte
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|---|---|
| San Ramon | 55 |
| Mountain View | 46 |
| Tokyo | 23 |
| Menlo Park | 18 |
| Louisville | 15 |
| San Jose | 9 |
| Kiev | 8 |
| Moscow | 7 |
| San Mateo | 7 |
| Hanoi | 6 |