1. ELARTU — Інституційний репозитарій ТНТУ імені Івана Пулюя
  2. Матеріали конференцій, семінарів, читань
  3. 2015
  4. Конференція „Фундаментальні та прикладні проблеми сучасних технологій“ (2015)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/7186

Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorДмитрієв, Вадимuk
dc.contributor.authorШвець, Євгенuk
dc.contributor.authorDmitriev, Vadiimuk
dc.contributor.authorShvets, Yevgenuk
dc.coverage.temporal19–21 травня 2015 рокуuk
dc.date.accessioned2016-01-21T14:43:14Z-
dc.date.available2016-01-21T14:43:14Z-
dc.date.created2015-05-19uk
dc.date.issued2015-05-19uk
dc.identifier.citationДмитрієв В. Вплив інжектованих неосновних носіїв заряду на параметри діоду з бар'єром Шоттки / Вадим Дмитрієв, Євген Швець // Матеріали Міжнародної науково-технічної конференції «Фундаментальні та прикладні проблеми сучасних технологій», 19–21 травня 2015 року — Т. : ТНТУ, 2015 — С. 10-11. — (Фізико-технічні основи розвитку нових технологій).uk
dc.identifier.urihttp://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/7186-
dc.format.extent10-11uk
dc.language.isoukuk
dc.publisherТНТУuk
dc.publisherTNTUuk
dc.relation.ispartofЗбірник тез доповідей Міжнародної науково-технічної конференції «Фундаментальні та прикладні проблеми сучасних технологій» присвяченої 55-річчю заснування ТНТУ та 170-річчю з дня народження Івана Пулюяuk
dc.titleВплив інжектованих неосновних носіїв заряду на параметри діоду з бар'єром Шотткиuk
dc.title.alternativeThe influence of the injected minority carriers on the Schottky barrier diodes parametersuk
dc.typeArticleuk
dc.coverage.placenameУкраїна, Тернопільuk
dc.coverage.placenameUkraine, Ternopiluk
dc.subject.udc621.382/181.4uk
dc.relation.references1. Анализ экспресс-методов исследования инжекционных свойств невыпрямляющих контактов / В.С. Дмитрієв, Є.Я. Швець // Sword. – 2013 - вып. 4. - T. 8. -C. 60 - 63.uk
dc.relation.references2. Исследование инжекционных свойств контактов металл-полупроводник /В.С. Дмитриев, Е.Я. Швец, Дмитриева Л.Б. // Матеріали міжнародної науково-практичної конференції «Україна-Польща: діалог культур в контексті єврошнтеграції». - 2014. - Запоріжжя. - ЗДІА. – T. 2. – C. 226 - 228.uk
dc.relation.references3. Развитие физической модели неоднородных контактов металл-полупроводник /В.С. Дмитриев // Materialy X mezinбrodnн vědecko - praktickб konference «Modernн vymoženosti vědy – 2014».-Dнl 39. «Technickй vědy».-Praha. - 2014. - Чехия. - Прага-Publishing House «Education and Science». -T. 39. - C. 3-5.uk
dc.relation.references4. Стриха В.И. Контактные явления в полупроводлниках – К.: Наукова думка, 1982. -224 с.uk
dc.relation.references5. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. Пер.с англ. - М.: Радио и связь. - 208с.uk
dc.relation.references6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Мир. 1984. – 456 с.uk
dc.relation.referencesen1. Analiz ekspress-metodov issledovaniia inzhektsionnykh svoistv nevypriamliaiushchikh kontaktov, V.S. Dmitriiev, Ye.Ia. Shvets, Sword, 2013 - Iss. 4, T. 8. -P. 60 - 63.uk
dc.relation.referencesen2. Yssledovanye ynzhektsyonnykh svoistv kontaktov metall-poluprovodnyk /V.S. Dmytryev, E.Ya. Shvets, Dmytryeva L.B., Materialy mizhnarodnoi naukovo-praktychnoi konferentsii "Ukraine-Polshcha: dialoh kultur v konteksti yevroshntehratsii", 2014, Zaporizhzhia, ZDIA, T. 2, P. 226 - 228.uk
dc.relation.referencesen3. Razvitie fizicheskoi modeli neodnorodnykh kontaktov metall-poluprovodnik /V.S. Dmitriev, Materialy X mezinbrodnn vědecko - praktickb konference "Modernn vymoženosti vědy – 2014".-Dnl 39. "Technicki vědy".-Praha, 2014, Chekhiia, Praha-Publishing House "Education and Science". -T. 39, P. 3-5.uk
dc.relation.referencesen4. Strikha V.I. Kontaktnye iavleniia v poluprovodlnikakh – K., Naukova dumka, 1982. -224 p.uk
dc.relation.referencesen5. Roderik E.Kh. Kontakty metall-poluprovodnik. Per.s anhl, M., Radio i sviaz, 208p.uk
dc.relation.referencesen6. Zi S. Fizika poluprovodnikovykh priborov, M., Mir. 1984, 456 p.uk
dc.identifier.citationenDmitriev V., Shvets Y. (2015) Vplyv inzhektovanykh neosnovnykh nosiiv zariadu na parametry diodu z barierom Shottky [The influence of the injected minority carriers on the Schottky barrier diodes parameters]. Materialy Mizhnarodnoi naukovo-tekhnichnoi konferentsii "Fundamentalni ta prykladni problemy suchasnykh tekhnolohii" (Tern., 19–21 travnia 2015 roku), pp. 10-11 [in Ukrainian].uk
dc.contributor.affiliationЗапорізька державна інженерна академія, Українаuk
dc.citation.journalTitleЗбірник тез доповідей Міжнародної науково-технічної конференції «Фундаментальні та прикладні проблеми сучасних технологій» присвяченої 55-річчю заснування ТНТУ та 170-річчю з дня народження Івана Пулюяuk
dc.citation.spage10uk
dc.citation.epage11uk
dc.citation.conferenceМіжнародна науково-технічна конференція «Фундаментальні та прикладні проблеми сучасних технологій»uk
Розташовується у зібраннях:Конференція „Фундаментальні та прикладні проблеми сучасних технологій“ (2015)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Conf_2015_Dmitriev_V-The_influence_of_the_injected_10-11.pdf486,82 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити
Conf_2015_Dmitriev_V-The_influence_of_the_injected_10-11.djvu80,44 kBDjVuПереглянути/відкрити
Conf_2015_Dmitriev_V-The_influence_of_the_injected_10-11__COVER.png1,24 MBimage/pngПереглянути/відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.