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| Influence of Ge isovalent impurity on anisotropic parameters of n-Si single crystals | 353 |
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| Influence of Ge isovalent impurity on anisotropic parameters of n-Si single crystals | 2 | 8 | 3 | 4 | 21 | 1 | 30 |
Archivos descargados
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| TNTUB_2012_v65_No1-Misyuk_S-Influence_of_Ge_isovalent_impurity_on_anisotropic_parameters__53.pdf | 121 |
| TNTUB_2012_v65_No1-Misyuk_S-Influence_of_Ge_isovalent_impurity_on_anisotropic_parameters__53.djvu | 106 |
| TNTUB_2012_v65_No1-Misyuk_S-Influence_of_Ge_isovalent_impurity_on_anisotropic_parameters_53__COVER.png | 27 |
Países con mayores visualizaciones
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| Estados Unidos | 142 |
| China | 42 |
| Alemania | 38 |
| Holanda | 35 |
| Irlanda | 33 |
| Ucrania | 15 |
| India | 9 |
| Canadá | 6 |
| Reino Unido | 5 |
| Vietnam | 5 |
Ciudades con mayores visualizaciones
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|---|---|
| San Mateo | 31 |
| Dublin | 29 |
| Mountain View | 21 |
| Louisville | 15 |
| Menlo Park | 12 |
| Ann Arbor | 11 |
| Kiev | 8 |
| Guangzhou | 5 |
| Hanoi | 5 |
| Hefei | 5 |