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| Influence of Ge isovalent impurity on anisotropic parameters of n-Si single crystals | 428 |
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| Influence of Ge isovalent impurity on anisotropic parameters of n-Si single crystals | 1 | 31 | 34 | 4 | 7 | 28 | 1 |
Archivos descargados
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| TNTUB_2012_v65_No1-Misyuk_S-Influence_of_Ge_isovalent_impurity_on_anisotropic_parameters__53.pdf | 127 |
| TNTUB_2012_v65_No1-Misyuk_S-Influence_of_Ge_isovalent_impurity_on_anisotropic_parameters__53.djvu | 109 |
| TNTUB_2012_v65_No1-Misyuk_S-Influence_of_Ge_isovalent_impurity_on_anisotropic_parameters_53__COVER.png | 28 |
Países con mayores visualizaciones
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| Estados Unidos | 161 |
| China | 62 |
| Alemania | 38 |
| Holanda | 35 |
| Irlanda | 33 |
| Brasil | 20 |
| Ucrania | 15 |
| India | 9 |
| Canadá | 6 |
| Reino Unido | 6 |
Ciudades con mayores visualizaciones
| Visualizaciones | |
|---|---|
| San Mateo | 31 |
| Dublin | 29 |
| Mountain View | 23 |
| Louisville | 15 |
| Menlo Park | 12 |
| Ann Arbor | 11 |
| Ashburn | 11 |
| Kiev | 8 |
| Guangzhou | 6 |
| Hanoi | 6 |