Zugriffsstatistik
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| Influence of Ge isovalent impurity on anisotropic parameters of n-Si single crystals | 663 |
Gesamtzugriffe pro Monat
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| Influence of Ge isovalent impurity on anisotropic parameters of n-Si single crystals | 7 | 8 | 73 | 13 | 22 | 13 | 47 |
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| TNTUB_2012_v65_No1-Misyuk_S-Influence_of_Ge_isovalent_impurity_on_anisotropic_parameters__53.pdf | 148 |
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Häufigste Länder
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|---|---|
| Vereinigte Staaten von Amerika | 242 |
| China | 68 |
| Brasilien | 63 |
| Deutschland | 43 |
| Niederlande | 35 |
| Irland | 33 |
| Ukraine | 19 |
| Japan | 15 |
| Kanada | 10 |
| Indien | 9 |
Häufigste Städte
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|---|---|
| San Mateo | 35 |
| Dublin | 29 |
| San Jose | 25 |
| Mountain View | 24 |
| Louisville | 15 |
| Tokyo | 14 |
| Menlo Park | 12 |
| Ann Arbor | 11 |
| Ashburn | 11 |
| Kiev | 11 |