Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/2025
Назва: | Influence of Ge isovalent impurity on anisotropic parameters of n-Si single crystals |
Інші назви: | Вплив ізовалентної домішки Ge на анізотропні параметри кристалів n-Si |
Автори: | Misyuk, S. Місюк, С. |
Бібліографічний опис: | Місюк С. Вплив ізовалентної домішки Ge на анізотропні параметри кристалів n-Si / Місюк С. // Вісник ТНТУ. — 2012. — Том 65. — № 1. — С.53-58. — (механіка та матеріалознавство). |
Дата публікації: | 6-лют-2012 |
Дата внесення: | 12-кві-2013 |
Видавництво: | Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя |
Місце видання, проведення: | Тернопіль, Україна |
УДК: | 620 538.9 |
Теми: | isovalent impurity piezoresistance single crystal relaxation time electron mobility parameter of relaxation times anisotropy ізовалентна домішка п’єзоопір кристал час релаксації рухливість електронів параметр анізотропії часів релаксації |
Короткий огляд (реферат): | The paper presents results of influence Ge Isovalent Impurity on anisotropic parameters of n-Si single crystals. The experimental results for investigated single crystals are shown that introduction Ge Isovalent Impurity into n-Si significantly reduce relaxation time <> and electron mobility; brings to a reduction piezoresistance effect. Increasing of Ge Isovalent Impurity is changing the corresponding anisotropy parameters. Electron collision with Isovalent Impurity is close to isotropy scattering. Zone characteristic of single crystals n-Si with Ge Isovalent Impurity doesn’t change up to NGe 201019 cm 3. Представлено результати досліджень впливу ізовалентної домішки Ge на анізотропні параметри кристалів n-Si. Експериментальні результати для досліджених кристалів показали, що введеня ізовалентної домішки Ge в кристали n-Si суттєво зменшує час релаксації <>, рухливість електронів та призводить до зменшення п’єзопору. Розсіювання електронів ізовалентними домішками германію є близьким до ізотропного. Зонні характеристики кристалів n-Si з умістом ізовалентної дмішки Ge з концентрацією NGe 201019 cm 3 не змінюються. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/2025 |
ISSN: | 1727-7108 |
Власник авторського права: | © „Вісник Тернопільського національного технічного університету“ |
Статус публікації : | Опубліковано раніше |
Тип вмісту: | Article |
Розташовується у зібраннях: | Вісник ТНТУ, 2012, № 1 (65) |
Файли цього матеріалу:
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.