Influence of Ge isovalent impurity on anisotropic parameters of n-Si single crystals

Abstract

The paper presents results of influence Ge Isovalent Impurity on anisotropic parameters of n-Si single crystals. The experimental results for investigated single crystals are shown that introduction Ge Isovalent Impurity into n-Si significantly reduce relaxation time <> and electron mobility; brings to a reduction piezoresistance effect. Increasing of Ge Isovalent Impurity is changing the corresponding anisotropy parameters. Electron collision with Isovalent Impurity is close to isotropy scattering. Zone characteristic of single crystals n-Si with Ge Isovalent Impurity doesn’t change up to NGe 201019 cm 3.

Представлено результати досліджень впливу ізовалентної домішки Ge на анізотропні параметри кристалів n-Si. Експериментальні результати для досліджених кристалів показали, що введеня ізовалентної домішки Ge в кристали n-Si суттєво зменшує час релаксації <>, рухливість електронів  та призводить до зменшення п’єзопору. Розсіювання електронів ізовалентними домішками германію є близьким до ізотропного. Зонні характеристики кристалів n-Si з умістом ізовалентної дмішки Ge з концентрацією NGe 201019 cm 3 не змінюються.