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| Дослідженя поверхні (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 методами скануючих тунельних мікроскопії та спектроскопії | 361 |
月別閲覧数
| 12月 2024 | 1月 2025 | 2月 2025 | 3月 2025 | 4月 2025 | 5月 2025 | 6月 2025 | |
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| Дослідженя поверхні (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 методами скануючих тунельних мікроскопії та спектроскопії | 5 | 3 | 1 | 13 | 1 | 5 | 4 |
ファイルダウンロード数
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|---|---|
| APTEF_2010_Dverii_O_R-Doslidzhenia_poverkhni_100_51-52.pdf | 77 |
| APTEF_2010_Dverii_O_R-Doslidzhenia_poverkhni_100_51-52.djvu | 40 |
| APTEF_2010_Dverii_O_R-Doslidzhenia_poverkhni_100_51-52__COVER.jpg | 17 |
国別閲覧数
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| アメリカ合衆国 | 221 |
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