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Дослідженя поверхні (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 методами скануючих тунельних мікроскопії та спектроскопії | 401 |
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Дослідженя поверхні (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 методами скануючих тунельних мікроскопії та спектроскопії | 1 | 5 | 5 | 2 | 31 | 6 | 0 |
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APTEF_2010_Dverii_O_R-Doslidzhenia_poverkhni_100_51-52.pdf | 81 |
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アメリカ合衆国 | 253 |
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中華人民共和国 | 35 |
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ベトナム | 5 |
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