Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/41051
Назва: | Вплив термічного відпалу на поверхню монокристалу карбіду кремнію 6H-SiC |
Інші назви: | The influence of the heat treatment process into the silicon carbide 6H-SiC surface |
Автори: | Білоус, М. Гермаш, Л. Дрозденко, А. Bilous, M. Hermash, L. Drozdenko, A. |
Приналежність: | Національний технічний університет України «КПІ» |
Бібліографічний опис: | Білоус М. Вплив термічного відпалу на поверхню монокристалу карбіду кремнію 6H-SiC / М. Білоус, Л. Гермаш, А. Дрозденко // Вісник ТДТУ. — Т. : ТДТУ, 2000. — Том 5. — № 2. — С. 108–111. — (Математичне моделювання. Фізика). |
Bibliographic description: | Bilous M., Hermash L., Drozdenko A. (2000) Vplyv termichnoho vidpalu na poverkhniu monokrystalu karbidu kremniiu 6H-SiC [The influence of the heat treatment process into the silicon carbide 6H-SiC surface]. Scientific Journal of TSTU (Tern.), vol. 5, no 2, pp. 108-111 [in Ukrainian]. |
Є частиною видання: | Вісник Тернопільського державного технічного університету, 2 (5), 2000 Scientific Journal of the Ternopil State Technical University, 2 (5), 2000 |
Журнал/збірник: | Вісник Тернопільського державного технічного університету |
Випуск/№ : | 2 |
Том: | 5 |
Дата публікації: | 27-чер-2000 |
Дата подання: | 24-тра-2000 |
Дата внесення: | 13-тра-2023 |
Видавництво: | ТДТУ TSTU |
Місце видання, проведення: | Тернопіль Ternopil |
УДК: | 621.396 |
Кількість сторінок: | 4 |
Діапазон сторінок: | 108-111 |
Початкова сторінка: | 108 |
Кінцева сторінка: | 111 |
Короткий огляд (реферат): | За допомогою методів Оже-електронної, рентгенофотоелектронної спектроскопії, а також електроннографічного аналізу досліджено розподіл елементів за фазами і стан на поверхні й у приповерхневому шарі монокристалів карбіду кремнію 6Н-SiС. ІІоказано характер розподілу домішок кисню і вуглецю на поверхні й у приповерхневій ділянці після термічної обробки у вакуумі 2·10-3 Па. Результати можна використати у технології виготовлення мікроприладів на основі карбіду кремнію [1]. With the help of methods the Auger - electric, rontgenophotoelectronic of spectroscopy, and also electronographic of the analysis is researched allocation of units on phases and status on a surface and in skin bed of monocrystals of silicon carbide 6Н-Si. ІІ the character of allocation of impurities of Oxygenium and Carboneum on a surface and in skin site after a heat treatment in vacuo 2*10-3 Па is rendered. The outcomes can be utilised in production process of microinstruments on a base to silicon carbide [1]. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/41051 |
ISSN: | 1727-7108 |
Власник авторського права: | © Тернопільський державний технічний університет імені Івана Пулюя, 2000 |
Перелік літератури: | 1. Белоус М.В., Гермаш Л.П., Дрозденко О.В. Моделирование злектронных приборов и техпроцессов, обеспечение качества, надежности и радиационной стойкости приборов и аппаратуры: Сборник трудов (т. 1) международной научно-технической конференции.- М.,1998.- С.63-73. 2. Томас А., Карлсон. Фотоэлектронная и Оже-спектроскония. Л.: Машиностроение, 1981. 3. Бріггс Д., Сіх М.П. Аналіз поверхні методами Оже- і рентгенівської фотоелектронної спектроскопії. М.: Мир, 1987. |
References: | 1. Belous M.V., Hermash L.P., Drozdenko O.V. Modelirovanie zlektronnykh priborov i tekhprotsessov, obespechenie kachestva, nadezhnosti i radiatsionnoi stoikosti priborov i apparatury: Sbornik trudov (V. 1) mezhdunarodnoi nauchno-tekhnicheskoi konferentsii, M.,1998, P.63-73. 2. Tomas A., Karlson. Fotoelektronnaia i Ozhe-spektroskoniia. L., Mashinostroenie, 1981. 3. Brihhs D., Sikh M.P. Analiz poverkhni metodamy Ozhe- i renthenivskoi fotoelektronnoi spektroskopii. M., Myr, 1987. |
Тип вмісту: | Article |
Розташовується у зібраннях: | Вісник ТДТУ, 2000, том 5, № 2 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
TSTUSJ_2000v5n2_Bilous_M-The_influence_of_the_heat_108-111.pdf | 220,83 kB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити | |
TSTUSJ_2000v5n2_Bilous_M-The_influence_of_the_heat_108-111.djvu | 72,79 kB | DjVu | Переглянути/відкрити | |
TSTUSJ_2000v5n2_Bilous_M-The_influence_of_the_heat_108-111__COVER.png | 424,28 kB | image/png | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.