閲覧統計
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| Вплив анізотропії розсіяння носіїв заряду в кристалах n−Si на тензочутливість | 303 |
月別閲覧数
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Вплив анізотропії розсіяння носіїв заряду в кристалах n−Si на тензочутливість | 0 | 1 | 27 | 2 | 27 | 10 | 0 |
ファイルダウンロード数
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|---|---|
| Conf_2013v1_Tsyz_A_I-Vplyv_anizotropii_rozsiiannia_254.pdf | 71 |
| Conf_2013v1_Tsyz_A_I-Vplyv_anizotropii_rozsiiannia_254.djvu | 19 |
| Conf_2013v1_Tsyz_A_I-Vplyv_anizotropii_rozsiiannia_254__COVER.jpg | 17 |
国別閲覧数
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| アメリカ合衆国 | 148 |
| オランダ | 35 |
| ドイツ | 33 |
| 中華人民共和国 | 27 |
| ウクライナ | 14 |
| アイルランド | 6 |
| ベトナム | 6 |
| オーストラリア | 4 |
| ブラジル | 4 |
| カナダ | 3 |
都市別閲覧数
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| San Ramon | 55 |
| San Mateo | 34 |
| Mountain View | 28 |
| Kiev | 8 |
| Hanoi | 6 |
| Jacksonville | 4 |
| Auckland | 3 |
| Louisville | 3 |
| Athens | 2 |
| Dublin | 2 |