Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/17919

Назва: Influence of dimensional static and dynamic charges on conduction in the active zone of a quantum cascade laser
Автори: Грищук, Андрій Миколайович
Приналежність: A.M . Gryschuk 1 , I.V. Boyko 2 1 Ivan Franko Zhytomyr State University, 40, Velyka Berdychivska str., Zhytomyr, phone: (0412) 372-763, e-mail: teor-caf@meta.ua 2 I. Pul’uj Ternopil National Technical University, 56, Ruska str., Ternopil, e -mail: boyko.i.v.theory@gmail.com
Бібліографічний опис: 2015. V. 18, N 2. P. 123-127.
Bibliographic description: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2015. V. 18, N 2. P. 123-127.
Журнал/збірник: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics
Випуск/№ : 2
Том: 18
Дата публікації: 8-чер-2015
Дата подання: 4-лис-2014
Дата внесення: 19-вер-2016
Видавництво: EBSCO PUBLISHING
УДК: 538.935
538.915
538.971
Теми: nanosystems
quantum cascade laser
resonant-tunnelling structure
dynamic conductivity
static charge
dynamic charge
Кількість сторінок: 5
Діапазон сторінок: 123-127
Серія/номер: 2015. V. 18;N 2.
Короткий огляд (реферат): The theory of active dynamic conductivity in the three-barrier active zone of a quantum cascade laser has been developed in the model of the electron effective mass and rectangular potential in the low signal approximation. In the preceding paper, it was shown that the static charge causes an increase of the lifetime of electronic quasi-stationary states and the shift of the energy levels into the high-energy range without changing maximum values of the active dynamic conductivity. The dynamic charge causes redistribution of the partial components of the active dynamic conductivity without affecting the spectral parameters of electron. It has been set that the partial components of the dynamic conductivity caused by the passing through electron flow from nanostructures reduce, and the components of conductivity caused by the flow in the opposite direction increase, thus, the conductivity value remains constant.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/17919
Власник авторського права: © 2015, V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
References: [1] J.M. Wolf, A. Bismuto, M. Beck, and J. Faist. Distributed-feedback quantum cascade laser emitting at 3.2 μm // Optics Express, 22(2), pp. 2111-2118 (2014). [2] D. Bachmann, M. Rösch, C. Deutsch, M. Krall, G. Scalari, M. Beck, J. Faist, K. Unterrainer and J. Darmo. Spectral gain profile of a multi-stack terahertz quantum cascade laser // Appl. Phys. Lett., 105(18), pp. 181118-1- 181118-4 (2014). [3] A. Buffaz, M. Carras, L. Doyennette, A. Nedelcu, X. Marcadet and V. Berger. Quantum cascade detectors for very long wave infrared detection // Appl. Phys. Lett., 96(17), pp. 172101-1-172101-3 (2010). [4] D. Hofstetter, F.R. Giorgetta, E. Baumann, Q. Yang, C. Manz and K. Kohler. Midinfrared quantum cascade detector with a spectrally broad response // Appl. Phys. Lett., 93(22), pp. 221106 -1-221106-3 (2008). [5] M.V. Tkach, Ju.O. Seti, I.V. Boyko. Effect of Nonlinear Electron-Electron Interaction on Electron Tunneling Through an Asymmetric Two-Barrier Resonance Tunnel Structure // Ukr. J. Phys., 57(8), pp. 849-859 (2012). [6] Ju.O. Seti, M.V. Tkach, I.V. Boyko. Influence of non-linear electrons interaction at their transport through the symmetric two- barrier resonance nano-system // J. Optoelectron. Adv. Mater., 14(3-4), pp. 393-400 (2012). [7] X. Gao, D. Botez and I. Knezevic. Phonon confinement and electron transport in GaAs-based quantum cascade structures // J. Appl. Phys., 103(7), pp. 073101-1-073101-9 (2008). [8] M.V. Tkach, Ju.O. Seti, Ju. B. Grynyshyn. Influence of Confined Polarization Phonons on the Electron Spectrum in the Three-Barrier Active Zone of a Quantum Cascade Detector // Ukr. J. Phys., 59(12), pp. 1191-1200 (2014). [9] C. Sirtori, J. Faist, F. Capasso, D. L. Sivco. Mid-infrared (8.5 μm) semiconductor lasers operating at room temperature // IEEE Photonics Technology Letters., 9(3), pp. 294-296 (1997).
Тип вмісту: Article
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації працівників кафедри програмної інженерії

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
v18n2-p123-127.pdf343,55 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити
v18n2-p123-127.djvu336,52 kBDjVuПереглянути/відкрити
v18n2-p123-127__COVER.png329,21 kBimage/pngПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

Інструменти адміністратора