Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/17903
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Петрик, Михайло Романович | - |
dc.contributor.author | Цуприк, Галина Богданівна | - |
dc.date.accessioned | 2016-09-17T11:26:42Z | - |
dc.date.available | 2016-09-17T11:26:42Z | - |
dc.date.issued | 2015-12-24 | - |
dc.date.submitted | 2015-10-03 | - |
dc.identifier.citation | І.В. Бойко, М.Р. Петрик, Г.Б. Цуприк, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 4, 04078 (2015) | uk |
dc.identifier.uri | http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/17903 | - |
dc.description.abstract | У наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних ям і бар’єрів для електрона, з використанням знайдених розв’язків повного рівняння Шредінгера, розвинена теорія активної динамічної провідності трибар’єрної резонансно-тунельної структури у слабкому електромагнітному полі з урахуванням вкладу детекторних одно- та двофотонних електронних переходів з різними частотами. Показано, що величина вкладу двофотонних переходів у формуванні загальної величини активної динамічної провідності в детекторних переходах не менша 35 %. | uk |
dc.description.abstract | В приближении эффективных масс и прямоугольных потенциальных ям и потенциалов для эле к- трона, с использованием найденных решений полного уравнения Шредингера, развитая теория ак- тивной динамической проводимости трехбарьерной резонансно-туннельной структуры в слабом элек- тромагнитном поле с учетом вклада детекторных одно- и двухфотонных электронных переходов с раз- личными частотами. Показано, что величина вклада двухфотонных переходов в формировании общей величины активной динамической проводимости в детекторных переходах не менее 35 %. | - |
dc.description.abstract | In approximations of the effective mass and rectangular potential wells and potentials for the electron, by using solutions of the complete Schrödinger equation, was developed the theory of active dynamic con- ductivity of three barrier resonant tunnel structure in a weak electromagnetic field, taking into account the contribution of detector one- and two-photon electronic transitions with different frequencies. It is shown that the value of the contribution of two-photon transitions in the formation of the total amount of active dynamic conductivity in detector transitions is not less 35 %. | - |
dc.format.extent | 04078-1..04078-6 | - |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | Сумський державний університет (м. Суми, Україна) | uk |
dc.relation.ispartofseries | Том 7, Рік 2015, Номер 4;04078-1 - 04078-6 | - |
dc.subject | наносистеми | uk |
dc.subject | резонансно-тунельна структура | uk |
dc.subject | квантовий каскадний детектор | - |
dc.subject | активна динамічна провідність | - |
dc.subject | резонансні енергії | - |
dc.subject | резонансні ширини | - |
dc.subject | двофотонні електронні переходи | - |
dc.subject | резонансно-туннельная структура | - |
dc.subject | квантовый каскадный детектор | - |
dc.subject | активная динамическая проводимость | - |
dc.subject | резонансные энергии | - |
dc.subject | резонансные ширины | - |
dc.subject | двухфотонные электронные переходы | - |
dc.subject | resonance tunnelling structure | - |
dc.subject | quantum cascade detector | - |
dc.subject | active dynamic conductivity | - |
dc.subject | resonance energies | - |
dc.subject | resonance width | - |
dc.subject | two-photon electronic transitions | - |
dc.title | Внесок детекторних двофотонних електронних переходів у формування динамічної провідності трибар’єрних резонансно-тунельних структур | uk |
dc.title.alternative | Contribution of Two-photon Detector Electronic Transitions in the Formation of Dynamic Conductivity of Three-barrier Resonant Tunneling Structures | uk |
dc.title.alternative | Вклад детекторных двухфотонных электронных переходов в формировании динамической проводимости трехбарьерных резонансно-туннельных структур | - |
dc.type | Article | uk |
dc.rights.holder | © JNEP, 2015 | uk |
dc.format.pages | 6 | - |
dc.subject.udc | 538.935 | uk |
dc.subject.udc | 538.915 | - |
dc.subject.udc | 538.971 | - |
dc.relation.references | 1. С. Bonzon, I.C. Chelmus, K. Ohtani, M. Geiser, M. Beck, J. Faist, Appl. Phys. Lett. 104, 161102 (2009). 2. J.M. Wolf, A. Bismuto, M. Beck, J. Faist, Opt. Express 22, 2111 (2014). 3. A. Buffaz, M. Carras, L. Doyennette, A. Nedelcu, X. Marcadet, V. Berger, Appl. Phys. Lett. 96, 172101 (2010). 4. D. Hofstetter, F.R. Giorgetta, E. Baumann, Q. Yang, C. Manz, K. Kohler, Appl. Phys. Lett. 93, 221106 (2008). 5. M.V. Tkach, Ju.O. Seti, I.V. Boyko, O.M. Voitsekhivska, Condens. Matt. Phys. 16, 33701 (2013). 6. M. Tkach, Ju. Seti, I. Boyko, O. Voitsekhivska, Romanian Report. Phys. 65, 1443 (2013). 7. M.V. Tkach, Ju.O. Seti, V.O. Matijek I.V. Boyko, J. Phys. Studies 16, 4701 (2012). 8. E. Saczuk, J.Z. Kaminski, phys. status solidi b 240, 603 (2003). 9. N.V. Tkach, Yu.A. Seti, JETP Lett. 95, 271 (2012). 10. N.V. Tkach, Ju.A. Seti, Semiconductors 48, 590 (2014). 11. A.B. Pashkovskii, JETP Lett. 89, 30 (2009). 12. A.B. Pashkovskii, Semiconductors 45, 743 (2009). 13. N.V. Tkach, Yu.A. Seti, Low Temp. Phys. 35, 556 (2009). 14. N.V. Tkach, Ju.A. Seti, Semiconductors 45, 376 (2011). | uk |
dc.identifier.citationen | I.V. Boyko, M.R. Petryk, H.B. Tsupryk, J. Nano- Electron. Phys. 7 No 4, 04078 (2015) | uk |
dc.contributor.affiliation | Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя, вул. Руська, 56, 46001 Тернопіль, Україна | - |
dc.contributor.affiliation | Тернопольский национальный технический университет имени Ивана Пулюя, ул. Русская, 56, 46001 Тернополь, Украина | - |
dc.contributor.affiliation | Ternopil National Technical University, 56, Ruska Str., 46001 Ternopil, Ukraine | - |
dc.subject.pacs | 73.21.Ac | - |
dc.subject.pacs | 73.40.Gk | - |
dc.subject.pacs | 73.63.Hs | - |
dc.citation.journalTitle | Журнал нано- та електронної фізики | - |
dc.citation.journalTitle | Journal of nano- and electronic physics | - |
dc.citation.volume | 7 | - |
dc.citation.issue | 4 | - |
Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації працівників кафедри програмної інженерії |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
jnep_2015_V7_04078.pdf | 565,4 kB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити | |
jnep_2015_V7_04078.djvu | 386,22 kB | DjVu | Переглянути/відкрити | |
jnep_2015_V7_04078__COVER.png | 535,17 kB | image/png | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.
Інструменти адміністратора