Моля, използвайте този идентификатор за цитиране или линк към този публикация:
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/12137
Пълен Запис на метаданни
DC Поле | Стойност | Език |
---|---|---|
dc.contributor.author | Маханець, О. | uk |
dc.contributor.author | Довганюк, М. | uk |
dc.contributor.author | Цюпак, Н. | uk |
dc.coverage.temporal | 27-28 січня 2010 року | uk |
dc.coverage.temporal | 27-28 January 2010 | uk |
dc.date.accessioned | 2016-02-21T14:49:49Z | - |
dc.date.available | 2016-02-21T14:49:49Z | - |
dc.date.created | 2010-01-27 | uk |
dc.date.issued | 2010-01-27 | uk |
dc.identifier.citation | Маханець О. Екситонний спектр масиву шестигранних нанотрубок з врахуванням екситон-фононної взаємодії / О. Маханець, М. Довганюк, Н. Цюпак // Матеріали наукового семінару “Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики”, 27-28 січня 2010 року — Т. : ТНТУ, 2010 — С. 11-13. | uk |
dc.identifier.uri | http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/12137 | - |
dc.format.extent | 11-13 | uk |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | ТНТУ | uk |
dc.publisher | TNTU | uk |
dc.relation.ispartof | Матеріали наукового семінару “Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики” | uk |
dc.relation.ispartof | Proceedings of the seminar "Actual Problems of Theoretical and Experimental Physics" | uk |
dc.title | Екситонний спектр масиву шестигранних нанотрубок з врахуванням екситон-фононної взаємодії | uk |
dc.type | Article | uk |
dc.rights.holder | © Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя, 2010 | uk |
dc.coverage.placename | Україна, Тернопіль | uk |
dc.coverage.placename | Ukraine, Ternopil | uk |
dc.relation.references | [1] Mohan P. Realization of conductive InAs nanotubes based on lattice-mismatched InP/InAs coreshell nanowires / P. Mohan, J.Motohisa, T.Fukui // Appl.Phys.Lett. – 2006. – V. 88. – p.013110-013115. | uk |
dc.relation.references | [2] Noborisaka J. Catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective-area metalorganic vaporphase epitaxy / J. Noborisaka, J.Motohisa, T.Fukui // Appl.Phys.Lett. – 2005 . – V. 86. – p. 1222-1228. | uk |
dc.relation.references | [3] Tomioka K. Crystallographic Structure of InAs Nanowires Studied by Transmission Electron Microscopy / K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara et al. // Jpn. J. Appl. Phys. – 2007. – V.46. - p.1102-1104. | uk |
dc.relation.references | [4] Hashimoto S. Formation of InP and InGaAs Air-Hole Arrays on InP(111) Substrates by Selective-Area Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy / S. Hashimoto, J. Takeda, A. Tarumi et al. // Jpn. J. Appl. Phys. - 2008 . – V.47. - p. 3354-3358. | uk |
dc.relation.references | [5] Mohan P. Fabrication of InP/InAs/InP core-multishell heterostructure nanowires by selective area metalorganic vapor phase epitaxy / P. Mohan, J. Motohisa, T. Fukui // Appl. Phys. Lett. – 2006. -. V.88. – p. 133105-133118. | uk |
dc.relation.references | [6] John H. D. The physics of low-dimensional semiconductors: an introduction / H. D. John // Cambridge University Press, New York. - 1998.- p.438. | uk |
dc.relation.referencesen | [1] Mohan P. Realization of conductive InAs nanotubes based on lattice-mismatched InP/InAs coreshell nanowires, P. Mohan, J.Motohisa, T.Fukui, Appl.Phys.Lett, 2006, V. 88, p.013110-013115. | uk |
dc.relation.referencesen | [2] Noborisaka J. Catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective-area metalorganic vaporphase epitaxy, J. Noborisaka, J.Motohisa, T.Fukui, Appl.Phys.Lett, 2005 , V. 86, p. 1222-1228. | uk |
dc.relation.referencesen | [3] Tomioka K. Crystallographic Structure of InAs Nanowires Studied by Transmission Electron Microscopy, K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara et al., Jpn. J. Appl. Phys, 2007, V.46, p.1102-1104. | uk |
dc.relation.referencesen | [4] Hashimoto S. Formation of InP and InGaAs Air-Hole Arrays on InP(111) Substrates by Selective-Area Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy, S. Hashimoto, J. Takeda, A. Tarumi et al., Jpn. J. Appl. Phys, 2008 , V.47, p. 3354-3358. | uk |
dc.relation.referencesen | [5] Mohan P. Fabrication of InP/InAs/InP core-multishell heterostructure nanowires by selective area metalorganic vapor phase epitaxy, P. Mohan, J. Motohisa, T. Fukui, Appl. Phys. Lett, 2006. -. V.88, p. 133105-133118. | uk |
dc.relation.referencesen | [6] John H. D. The physics of low-dimensional semiconductors: an introduction, H. D. John, Cambridge University Press, New York, 1998, p.438. | uk |
dc.identifier.citationen | Makhanets O., Dovhaniuk M., Tsiupak N. (2010) Eksytonnyi spektr masyvu shestyhrannykh nanotrubok z vrakhuvanniam eksyton-fononnoi vzaiemodii. Proceedings of the seminar "Actual Problems of Theoretical and Experimental Physics" (Tern., 27-28 January 2010), pp. 11-13 [in Ukrainian]. | uk |
dc.contributor.affiliation | Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича | uk |
dc.citation.journalTitle | Матеріали наукового семінару “Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики” | uk |
dc.citation.spage | 11 | uk |
dc.citation.epage | 13 | uk |
dc.citation.conference | Науковий семінар „Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики“ | uk |
Показва се в Колекции: | Науковий семінар „Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики“ (2010) |
Файлове в Този Публикация:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
APTEF_2010_Makhanets_O-Eksytonnyi_spektr_masyvu_11-13.pdf | 1,68 MB | Adobe PDF | Изглед/Отваряне | |
APTEF_2010_Makhanets_O-Eksytonnyi_spektr_masyvu_11-13.djvu | 155,22 kB | DjVu | Изглед/Отваряне | |
APTEF_2010_Makhanets_O-Eksytonnyi_spektr_masyvu_11-13__COVER.jpg | 135,71 kB | JPEG | Изглед/Отваряне |
Публикацияте в DSpace са защитени с авторско право, с всички права запазени, освен ако не е указно друго.