1. ELARTU — Інституційний репозитарій ТНТУ імені Івана Пулюя
  2. Матеріали конференцій, семінарів, читань
  3. 2010
  4. Науковий семінар „Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики“ (2010)
Моля, използвайте този идентификатор за цитиране или линк към този публикация: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/12137

Пълен Запис на метаданни
DC ПолеСтойностЕзик
dc.contributor.authorМаханець, О.uk
dc.contributor.authorДовганюк, М.uk
dc.contributor.authorЦюпак, Н.uk
dc.coverage.temporal27-28 січня 2010 рокуuk
dc.coverage.temporal27-28 January 2010uk
dc.date.accessioned2016-02-21T14:49:49Z-
dc.date.available2016-02-21T14:49:49Z-
dc.date.created2010-01-27uk
dc.date.issued2010-01-27uk
dc.identifier.citationМаханець О. Екситонний спектр масиву шестигранних нанотрубок з врахуванням екситон-фононної взаємодії / О. Маханець, М. Довганюк, Н. Цюпак // Матеріали наукового семінару “Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики”, 27-28 січня 2010 року — Т. : ТНТУ, 2010 — С. 11-13.uk
dc.identifier.urihttp://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/12137-
dc.format.extent11-13uk
dc.language.isoukuk
dc.publisherТНТУuk
dc.publisherTNTUuk
dc.relation.ispartofМатеріали наукового семінару “Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики”uk
dc.relation.ispartofProceedings of the seminar "Actual Problems of Theoretical and Experimental Physics"uk
dc.titleЕкситонний спектр масиву шестигранних нанотрубок з врахуванням екситон-фононної взаємодіїuk
dc.typeArticleuk
dc.rights.holder© Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя, 2010uk
dc.coverage.placenameУкраїна, Тернопільuk
dc.coverage.placenameUkraine, Ternopiluk
dc.relation.references[1] Mohan P. Realization of conductive InAs nanotubes based on lattice-mismatched InP/InAs coreshell nanowires / P. Mohan, J.Motohisa, T.Fukui // Appl.Phys.Lett. – 2006. – V. 88. – p.013110-013115.uk
dc.relation.references[2] Noborisaka J. Catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective-area metalorganic vaporphase epitaxy / J. Noborisaka, J.Motohisa, T.Fukui // Appl.Phys.Lett. – 2005 . – V. 86. – p. 1222-1228.uk
dc.relation.references[3] Tomioka K. Crystallographic Structure of InAs Nanowires Studied by Transmission Electron Microscopy / K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara et al. // Jpn. J. Appl. Phys. – 2007. – V.46. - p.1102-1104.uk
dc.relation.references[4] Hashimoto S. Formation of InP and InGaAs Air-Hole Arrays on InP(111) Substrates by Selective-Area Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy / S. Hashimoto, J. Takeda, A. Tarumi et al. // Jpn. J. Appl. Phys. - 2008 . – V.47. - p. 3354-3358.uk
dc.relation.references[5] Mohan P. Fabrication of InP/InAs/InP core-multishell heterostructure nanowires by selective area metalorganic vapor phase epitaxy / P. Mohan, J. Motohisa, T. Fukui // Appl. Phys. Lett. – 2006. -. V.88. – p. 133105-133118.uk
dc.relation.references[6] John H. D. The physics of low-dimensional semiconductors: an introduction / H. D. John // Cambridge University Press, New York. - 1998.- p.438.uk
dc.relation.referencesen[1] Mohan P. Realization of conductive InAs nanotubes based on lattice-mismatched InP/InAs coreshell nanowires, P. Mohan, J.Motohisa, T.Fukui, Appl.Phys.Lett, 2006, V. 88, p.013110-013115.uk
dc.relation.referencesen[2] Noborisaka J. Catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective-area metalorganic vaporphase epitaxy, J. Noborisaka, J.Motohisa, T.Fukui, Appl.Phys.Lett, 2005 , V. 86, p. 1222-1228.uk
dc.relation.referencesen[3] Tomioka K. Crystallographic Structure of InAs Nanowires Studied by Transmission Electron Microscopy, K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara et al., Jpn. J. Appl. Phys, 2007, V.46, p.1102-1104.uk
dc.relation.referencesen[4] Hashimoto S. Formation of InP and InGaAs Air-Hole Arrays on InP(111) Substrates by Selective-Area Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy, S. Hashimoto, J. Takeda, A. Tarumi et al., Jpn. J. Appl. Phys, 2008 , V.47, p. 3354-3358.uk
dc.relation.referencesen[5] Mohan P. Fabrication of InP/InAs/InP core-multishell heterostructure nanowires by selective area metalorganic vapor phase epitaxy, P. Mohan, J. Motohisa, T. Fukui, Appl. Phys. Lett, 2006. -. V.88, p. 133105-133118.uk
dc.relation.referencesen[6] John H. D. The physics of low-dimensional semiconductors: an introduction, H. D. John, Cambridge University Press, New York, 1998, p.438.uk
dc.identifier.citationenMakhanets O., Dovhaniuk M., Tsiupak N. (2010) Eksytonnyi spektr masyvu shestyhrannykh nanotrubok z vrakhuvanniam eksyton-fononnoi vzaiemodii. Proceedings of the seminar "Actual Problems of Theoretical and Experimental Physics" (Tern., 27-28 January 2010), pp. 11-13 [in Ukrainian].uk
dc.contributor.affiliationЧернівецький національний університет імені Юрія Федьковичаuk
dc.citation.journalTitleМатеріали наукового семінару “Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики”uk
dc.citation.spage11uk
dc.citation.epage13uk
dc.citation.conferenceНауковий семінар „Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики“uk
Показва се в Колекции:Науковий семінар „Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики“ (2010)

Файлове в Този Публикация:
Файл Описание РазмерФормат 
APTEF_2010_Makhanets_O-Eksytonnyi_spektr_masyvu_11-13.pdf1,68 MBAdobe PDFИзглед/Отваряне
APTEF_2010_Makhanets_O-Eksytonnyi_spektr_masyvu_11-13.djvu155,22 kBDjVuИзглед/Отваряне
APTEF_2010_Makhanets_O-Eksytonnyi_spektr_masyvu_11-13__COVER.jpg135,71 kBJPEGИзглед/Отваряне
Показване на запис на публикация Разлистване на Статистики


Публикацияте в DSpace са защитени с авторско право, с всички права запазени, освен ако не е указно друго.