Вплив імплантації йонів Cs на перерозподіл арсену на границі розділу структур SiO2-Si

Москаль, Д.; Мельник, В.; Романюк, Б.; Попов, В.; Пастух, О.; Moskal, D.; Melnik, V.; Romanuyk, B.; Pastuh, O.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/41565

Record completo di tutti i metadati

Campo DC	Valore	Lingua
dc.contributor.author	Москаль, Д.
dc.contributor.author	Мельник, В.
dc.contributor.author	Романюк, Б.
dc.contributor.author	Попов, В.
dc.contributor.author	Пастух, О.
dc.contributor.author	Moskal, D.
dc.contributor.author	Melnik, V.
dc.contributor.author	Romanuyk, B.
dc.contributor.author	Pastuh, O.
dc.date.accessioned	2023-06-15T16:42:43Z	-
dc.date.available	2023-06-15T16:42:43Z	-
dc.date.created	2004-12-28
dc.date.issued	2004-12-28
dc.date.submitted	2005-03-29
dc.identifier.citation	Вплив імплантації йонів Cs на перерозподіл арсену на границі розділу структур SiO2-Si / Москаль Д., Мельник В., Романюк Б., Попов В., Пастух О. // Вісник ТДТУ. — Т. : ТДТУ, 2005. — Том 10. — № 3. — С. 181–186. — (Математичне моделювання. Математика. Фізика).
dc.identifier.issn	1727-7108
dc.identifier.uri	http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/41565	-
dc.description.abstract	В роботі проведено дослідження структур SiO2-Si з мілкими р-п переходами, сформованими шляхом низькоенергетичної імплантації арсену та додаткової імплантації йонів цезію. Досліджено профілі розподілу арсену за допомогою методу мас-спектрометрії нейтральних часток. Показано, що при відпалах структур при температурах, більших за 800 С As накопичується на границі розділу фаз. Додаткова імплантація цезію приводить до збільшення ефекту накопичення As. Також спостерігається стимульоване цезієм збільшення товщини поверхневого окису. Запропоновано фізичні моделі цих явищ.
dc.description.abstract	The given work deals with investigation of structures SiO2-Si with shallow p-n transitions, formed by. means of low-energy implantation of arsenide and additional implantation of caesium ions. Arsenide division profiles have been discovered with help of neutral particles mass-spectrometry method. It has been showed that when the structures are being heated at temperatures over 800 degrees Celsius As is being cumulated on phase's interface. Additional caesium implantation results in increase of As accumulation effect. The increase of surface oxide thickness, stimulated by caesium is also being observed. Physical models of these phenomena have been suggested.
dc.format.extent	181-186
dc.language.iso	uk
dc.publisher	ТДТУ
dc.publisher	TSTU
dc.relation.ispartof	Вісник Тернопільського державного технічного університету, 3 (10), 2005
dc.relation.ispartof	Scientific Journal of the Ternopil State Technical University, 3 (10), 2005
dc.title	Вплив імплантації йонів Cs на перерозподіл арсену на границі розділу структур SiO2-Si
dc.title.alternative	The influence of ions Cs implantation on arsenide redistribution on the interface of SiO2-Si structures
dc.type	Article
dc.coverage.placename	Тернопіль
dc.coverage.placename	Ternopil
dc.format.pages	6
dc.subject.udc	621. 382
dc.relation.references	1. М. Koh, K. Egusa, H. Furumoto et al. Quantitative evaluation of dopant loss in 5-10 keV ion implantation for low-resistive, ultrashallow source/drain formation // Jpn. J. Appl. Phys. V. 38 (1999) p. 2324-2328.
dc.relation.references	2. K. Shibahara, D. Onimatsu. Antimony clustering due to high-dose implantation // Mat. Res. Soc. Symp., v.610 (2000), p. B8.5.1.
dc.relation.references	3. J. Dabrovski, R.A. Casali, H.-J. Mussigetal. Mechanism of dopant segregation to SiO2/Si (001) interfaces // J. Vac. Sci. Technol, v. B18 (4), 2000, p. 2160.
dc.relation.references	4. Y. Sato, J. Nakata, K. Imai, E. Arai. Arsenic pileup at the SiO2/Si interface // J. Electrochem. Soc, v. 142 (2), 1995, p.655.
dc.relation.references	5. Y. Sato, K. Imai, E. Arai. Pileup of n-type dopant in SOI structure and its effect on n-well concentration // J. Electrochem. Soc, v. 142 (2), 1995, p.660.
dc.relation.referencesen	1. M. Koh, K. Egusa, H. Furumoto et al. Quantitative evaluation of dopant loss in 5-10 keV ion implantation for low-resistive, ultrashallow source/drain formation, Jpn. J. Appl. Phys. V. 38 (1999) p. 2324-2328.
dc.relation.referencesen	2. K. Shibahara, D. Onimatsu. Antimony clustering due to high-dose implantation, Mat. Res. Soc. Symp., v.610 (2000), p. B8.5.1.
dc.relation.referencesen	3. J. Dabrovski, R.A. Casali, H.-J. Mussigetal. Mechanism of dopant segregation to SiO2/Si (001) interfaces, J. Vac. Sci. Technol, v. B18 (4), 2000, p. 2160.
dc.relation.referencesen	4. Y. Sato, J. Nakata, K. Imai, E. Arai. Arsenic pileup at the SiO2/Si interface, J. Electrochem. Soc, v. 142 (2), 1995, p.655.
dc.relation.referencesen	5. Y. Sato, K. Imai, E. Arai. Pileup of n-type dopant in SOI structure and its effect on n-well concentration, J. Electrochem. Soc, v. 142 (2), 1995, p.660.
dc.identifier.citationen	Moskal D., Melnik V., Romanuyk B., Pastuh O. (2005) Vplyv implantatsii yoniv Cs na pererozpodil arsenu na hranytsi rozdilu struktur SiO2-Si [The influence of ions Cs implantation on arsenide redistribution on the interface of SiO2-Si structures]. Scientific Journal of TSTU (Tern.), vol. 10, no 3, pp. 181-186 [in Ukrainian].
dc.contributor.affiliation	Тернопільська філія Європейського університету
dc.contributor.affiliation	Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України
dc.citation.journalTitle	Вісник Тернопільського державного технічного університету
dc.citation.volume	10
dc.citation.issue	3
dc.citation.spage	181
dc.citation.epage	186
È visualizzato nelle collezioni:	Вісник ТДТУ, 2005, том 10, № 3

File in questo documento:

File	Dimensioni	Formato
TSTUSJ_2005v10n3_Moskal_D-The_influence_of_ions_Cs_181-186.pdf	228,09 kB	Adobe PDF	Visualizza/apri
TSTUSJ_2005v10n3_Moskal_D-The_influence_of_ions_Cs_181-186.djvu	312,77 kB	DjVu	Visualizza/apri
TSTUSJ_2005v10n3_Moskal_D-The_influence_of_ions_Cs_181-186__COVER.png	515,2 kB	image/png	Visualizza/apri

Visualizza la scheda semplice del documento