Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/41027
Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Лісняк, П. | |
| dc.contributor.author | Lisnjak, P. | |
| dc.date.accessioned | 2023-05-12T08:11:23Z | - |
| dc.date.available | 2023-05-12T08:11:23Z | - |
| dc.date.created | 2002-02-26 | |
| dc.date.issued | 2002-02-26 | |
| dc.date.submitted | 2003-02-04 | |
| dc.identifier.citation | Лісняк П. Вплив імпульсів зворотної напруги на електрофізичні параметри контактів метал-кремній / Лісняк П. // Вісник ТДТУ. — Т. : ТДТУ, 2003. — Том 8. — № 3. — С. 116–121. — (Математичне моделювання. Математика. Фізика). | |
| dc.identifier.issn | 1727-7108 | |
| dc.identifier.uri | http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/41027 | - |
| dc.description.abstract | У статті розглянуто вплив імпульсів зворотної напруги на електрофізичні параметри контак-тів MoSi2-n-Si. Встановлено, що внаслідок тих впливів відбувається перебудова електронних станів межі поділу, зростає параметр перехідного шару , змінюється вольт-амперна характеристика. | |
| dc.description.abstract | The article analyzes the influence of the impulses of the revers tension on the electrophysical parame-ters of MoSi2-n-Si contacts. It has been revealed that as a result of this influence there is rearrangement of the electronic conditions of the division border, the parameter of transitional layer increases, and the volt-ampere characteristic changes. | |
| dc.format.extent | 116-121 | |
| dc.language.iso | uk | |
| dc.publisher | ТДТУ | |
| dc.publisher | TSTU | |
| dc.relation.ispartof | Вісник Тернопільського державного технічного університету, 3 (8), 2003 | |
| dc.relation.ispartof | Scientific Journal of the Ternopil State Technical University, 3 (8), 2003 | |
| dc.title | Вплив імпульсів зворотної напруги на електрофізичні параметри контактів метал-кремній | |
| dc.title.alternative | The influence of the impulses of the reverse tension on the electrophisical parameters of MoSi2-n-Si contacts | |
| dc.type | Article | |
| dc.rights.holder | © Тернопільський державний технічний університет імені Івана Пулюя, 2002 | |
| dc.coverage.placename | Тернопіль | |
| dc.coverage.placename | Ternopil | |
| dc.format.pages | 6 | |
| dc.subject.udc | 621.382 | |
| dc.relation.references | 1. Царенко О.М., Ткачук А.І., Рябець С.І. Одержання та дослідження діодних структур на основі бага-токомпонентних твердих розчинів сполук А4В6/ Фізичний збірник НТШ. – 2001. – Т.4. – С. 142-147. | |
| dc.relation.references | 2. Царенко О.М., Ткачук А.І. Форування та дослідження бар’єрних структур Аg / тонкий проміжний тунельно-прозорий діелектричний шар оксиду / p – Pb Sn Te Se / Pt // Вісник Кременчуцько-го державного політехнічного університету. – 2001. – Вип.2(11). – С. 254-259. | |
| dc.relation.references | 3. Царенко О.М., Ткачук А.І. Особливості формування та властивості діодів Шотки на основі твердих розчинів сполук А4В6 / Наукові записки КДПУ. Сер. фіз.-мат. науки. – 2002. – Вип.43. – С.122-138. | |
| dc.relation.references | 4. Ветров А.П., Ильченко В.В., Лисняк П.Г. и др. О возможности изменения свойств контактов силицид молиблена-кремний при импульсных воздействиях / Радиотехника и электроника. – 1993. – Т.38, Вып.4. – С.760-764. | |
| dc.relation.references | 5. Ильченко В.В., Лисняк П.Г., Стриха В.И. и др. О влиянии гамма-радиации на механизм переноса за-ряда контакта дисилицид платини-кремний // Физические основы надежности и деградации полу-проводниковых приборов. Тезисы докладов. Кишинев. – 1991. – Т.1. – С.45. | |
| dc.relation.references | 6. Стріха В.І., Скришевський В.А.,Козинець О.В. та ін. Вплив - шарів на темнові вольт-амперні ха-рактеристики кремнієвих p-n-переходів при проходженні струму через локальні рівні. / УФЖ. – 2000. – Т. 45, вип. 12. – С. 1458-1463. | |
| dc.relation.references | 7. Бойко Ю.В., Кильчицька С.С., Кильчицька Т.С. та ін. Про роль поверхневих станів у перенесенні фотоструму в структурах метал-тунельний діелектрик-напівпровідник. / УФЖ. – 1994. – Т.39. Вип.6. – С. 723-726. | |
| dc.relation.references | 8. Волков. С.Г., Євтух А.А., Литовченко В.Г. та ін. Гетерування рекомбінаційно-активних домішок у мультикристалічному кремнії при швидких термічних обробках. / УФЖ. – 2002. – Т.47. Вип.7. – С.684-689. | |
| dc.relation.references | 9. Кричер Д., Литовченко В.Г., Романюк Б.М. та ін. Планарне гетерування домішок металів в шарах Si та SiGe, вирощених методом МПЕ на підкладках Si. / УФЖ. – 2002. – Т.45. Вип.7. – С. 873-877. | |
| dc.relation.references | 10. Комашко В.А., Попов В.И, Белоусов В.И и др. Электрофизические свойства пленок ниобия, полу-ченных конденсацией в вакууме / Электронная техника. Серия 1. Электроника СВЧ. – 1976. – 4. – С.105-110. | |
| dc.relation.references | 11. Бузанева Е.В., Стриха В.И., Чайка Г.В. Об образовании поверхностного заряда на границе раздела металл –полупроводник / УФЖ -1983. – Т. 28. – N 4. – С.575-581, | |
| dc.relation.references | 12. Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. – М.: Сов. Радио, 1974. – 248с. | |
| dc.relation.references | 13. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл – полупроводник. – К. : Наукова думка, 1974. – 263с. | |
| dc.relation.referencesen | 1. Tsarenko O.M., Tkachuk A.I., Riabets S.I. Oderzhannia ta doslidzhennia diodnykh struktur na osnovi baha-tokomponentnykh tverdykh rozchyniv spoluk A4V6/ Fizychnyi zbirnyk NTSh, 2001, V.4, P. 142-147. | |
| dc.relation.referencesen | 2. Tsarenko O.M., Tkachuk A.I. Foruvannia ta doslidzhennia bariernykh struktur Ag, tonkyi promizhnyi tunelno-prozoryi dielektrychnyi shar oksydu, p – Pb Sn Te Se, Pt, Visnyk Kremenchutsko-ho derzhavnoho politekhnichnoho universytetu, 2001, Iss.2(11), P. 254-259. | |
| dc.relation.referencesen | 3. Tsarenko O.M., Tkachuk A.I. Osoblyvosti formuvannia ta vlastyvosti diodiv Shotky na osnovi tverdykh rozchyniv spoluk A4V6, Naukovi zapysky KDPU. Ser. fiz.-mat. nauky, 2002, Iss.43, P.122-138. | |
| dc.relation.referencesen | 4. Vetrov A.P., Ilchenko V.V., Lisniak P.H. and other O vozmozhnosti izmeneniia svoistv kontaktov silitsid moliblena-kremnii pri impulsnykh vozdeistviiakh, Radiotekhnika i elektronika, 1993, V.38, Iss.4, P.760-764. | |
| dc.relation.referencesen | 5. Ilchenko V.V., Lisniak P.H., Strikha V.I. and other O vliianii hamma-radiatsii na mekhanizm perenosa za-riada kontakta disilitsid platini-kremnii, Fizicheskie osnovy nadezhnosti i dehradatsii polu-provodnikovykh priborov. Tezisy dokladov. Kishinev, 1991, V.1, P.45. | |
| dc.relation.referencesen | 6. Strikha V.I., Skryshevskyi V.A.,Kozynets O.V. and other Vplyv - shariv na temnovi volt-amperni kha-rakterystyky kremniievykh p-n-perekhodiv pry prokhodzhenni strumu cherez lokalni rivni., UFZh, 2000, V. 45, Iss. 12, P. 1458-1463. | |
| dc.relation.referencesen | 7. Boiko Yu.V., Kylchytska S.S., Kylchytska T.S. and other Pro rol poverkhnevykh staniv u perenesenni fotostrumu v strukturakh metal-tunelnyi dielektryk-napivprovidnyk., UFZh, 1994, V.39. Iss.6, P. 723-726. | |
| dc.relation.referencesen | 8. Volkov. S.H., Yevtukh A.A., Lytovchenko V.H. and other Heteruvannia rekombinatsiino-aktyvnykh domishok u multykrystalichnomu kremnii pry shvydkykh termichnykh obrobkakh., UFZh, 2002, V.47. Iss.7, P.684-689. | |
| dc.relation.referencesen | 9. Krycher D., Lytovchenko V.H., Romaniuk B.M. and other Planarne heteruvannia domishok metaliv v sharakh Si ta SiGe, vyroshchenykh metodom MPE na pidkladkakh Si., UFZh, 2002, V.45. Iss.7, P. 873-877. | |
| dc.relation.referencesen | 10. Komashko V.A., Popov V.I, Belousov V.I and other Elektrofizicheskie svoistva plenok niobiia, polu-chennykh kondensatsiei v vakuume, Elektronnaia tekhnika. Seriia 1. Elektronika SVCh, 1976, 4, P.105-110. | |
| dc.relation.referencesen | 11. Buzaneva E.V., Strikha V.I., Chaika H.V. Ob obrazovanii poverkhnostnoho zariada na hranitse razdela metall –poluprovodnik, UFZh -1983, V. 28, N 4, P.575-581, | |
| dc.relation.referencesen | 12. Strikha V.I., Buzaneva E.V., Radzievskii I.A. Poluprovodnikovye pribory s barerom Shottki, M., Sov. Radio, 1974, 248p. | |
| dc.relation.referencesen | 13. Strikha V.I. Teoreticheskie osnovy raboty kontakta metall – poluprovodnik, K. : Naukova dumka, 1974, 263p. | |
| dc.identifier.citationen | Lisnjak P. (2003) Vplyv impulsiv zvorotnoi napruhy na elektrofizychni parametry kontaktiv metal-kremnii [The influence of the impulses of the reverse tension on the electrophisical parameters of MoSi2-n-Si contacts]. Scientific Journal of TSTU (Tern.), vol. 8, no 3, pp. 116-121 [in Ukrainian]. | |
| dc.contributor.affiliation | Тернопільський державний педагогічний університет імені Володимира Гнатюка | |
| dc.citation.journalTitle | Вісник Тернопільського державного технічного університету | |
| dc.citation.volume | 8 | |
| dc.citation.issue | 3 | |
| dc.citation.spage | 116 | |
| dc.citation.epage | 121 | |
| Appears in Collections: | Вісник ТДТУ, 2003, том 8, № 3 | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| TSTUSJ_2003v8n3_Lisnjak_P-The_influence_of_the_impulses_116-121.pdf | 615,04 kB | Adobe PDF | View/Open | |
| TSTUSJ_2003v8n3_Lisnjak_P-The_influence_of_the_impulses_116-121.djvu | 126,91 kB | DjVu | View/Open | |
| TSTUSJ_2003v8n3_Lisnjak_P-The_influence_of_the_impulses_116-121__COVER.png | 484,35 kB | image/png | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.