このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/22812

完全メタデータレコード
DCフィールド言語
dc.contributor.authorБлашко, Н. М.
dc.contributor.authorОлексеюк, І. Д.
dc.contributor.authorМарчук, О. В.
dc.contributor.authorBlashko, N. M.
dc.contributor.authorOlekseyuk, I. D.
dc.contributor.authorMarchuk, O. V.
dc.coverage.temporal16-17 листопада 2017 року
dc.coverage.temporal16-17 November 2017
dc.date.accessioned2017-12-21T15:31:46Z-
dc.date.available2017-12-21T15:31:46Z-
dc.date.created2017-11-16
dc.date.issued2017-11-16
dc.identifier.citationБлашко Н. М. Система La2S3–Ga2S3–GeS2 за температури 770 К / Н. М. Блашко, І. Д. Олексеюк, О. В. Марчук // Збірник тез доповідей Ⅵ Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“, 16-17 листопада 2017 року. — Т. : ТНТУ, 2017. — Том Ⅰ. — С. 5–6. — (Фізико-технічні основи розвитку нових технологій).
dc.identifier.urihttp://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/22812-
dc.format.extent5-6
dc.language.isouk
dc.publisherТНТУ
dc.publisherTNTU
dc.relation.ispartofЗбірник тез доповідей Ⅵ Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“
dc.relation.ispartofBook of abstract the Ⅵ International scientific and technical conference of young researchers and students "Current issues in modern technologies"
dc.titleСистема La2S3–Ga2S3–GeS2 за температури 770 К
dc.title.alternativeThe La2S3–Ga2S3–GeS2 system at temperature 770 K
dc.typeConference Abstract
dc.rights.holder© Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя, 2017
dc.coverage.placenameТернопіль
dc.coverage.placenameTernopil
dc.format.pages2
dc.subject.udc546
dc.subject.udc544.344 (546.654
dc.subject.udc546.681
dc.subject.udc546.289
dc.subject.udc546.22)
dc.relation.references1. CSD-Universal program package for single crystal and powder structure data treat-ment / L. G. Aksel′rud, Yu.N. Grin′, P.Yu. Zavalii and others // Collected Abstracts 12th European Crystallogr. Meet., Moscow, USSR, 20–28 August, – 1989. – Vol. 3. – P.155.
dc.relation.referencesen1. CSD-Universal program package for single crystal and powder structure data treat-ment, L. G. Aksel′rud, Yu.N. Grin′, P.Yu. Zavalii and others, Collected Abstracts 12th European Crystallogr. Meet., Moscow, USSR, 20–28 August, 1989, Vol. 3, P.155.
dc.identifier.citationenBlashko N. M., Olekseyuk I. D., Marchuk O. V. (2017) Sistema La2S3–Ga2S3–GeS2 za temperaturi 770 K [The La2S3–Ga2S3–GeS2 system at temperature 770 K]. Book of abstract the Ⅵ International scientific and technical conference of young researchers and students "Current issues in modern technologies" (Tern., 16-17 November 2017), vol. Ⅰ, pp. 5-6 [in Ukrainian].
dc.contributor.affiliationСхідноєвропейський національний університет імені Лесі Українки, Україна
dc.citation.journalTitleЗбірник тез доповідей Ⅵ Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“
dc.citation.volume
dc.citation.spage5
dc.citation.epage6
dc.citation.conferenceⅥ Міжнародна науково-технічна конференція молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“
出現コレクション:Ⅵ Міжнародна науково-технічна конференція молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“ (2017)



このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。