Дослідження спектрів випромінювання “зеленого” GaP - світлодіода з урахуванням впливу крайового поглинання та повного внутрішнього відбивання

Abstract

При температурі 77.4 K проведено вимірювання спектра рекомбінаційного випромінювання “зелених” GaP-світлодіодів. Послаблення світлового потоку внаслідок крайового поглинання всередині діода, яке у зеленій ділянці спектра є для легованого фосфіду галію досить великим, а також з причини повного внутрішнього відбивання, зумовленого великим показником заломлення GaP, призводять до суттєвого спотворення спектра при виході з випромінювача. Редукція до неспотвореного (тобто власного або внутрішнього) рекомбінаційного спектра, проведена з урахуванням зазначених факторів, дає змогу визначити реальні параметри відповідних квантових переходів та більш адекватно з’ясувати механізми рекомбінації.

It has been measured the recombination radiation spectrum of green emitting GaP diode at the temperature of 77.4K. The relaxation of light flux because of edge absorption within the diode bulk, which for doped GaP is very large in the green part of the spectrum, and also total internal reflection, induced by the big refractive index of GaP, leads to essential distortion of the spectrum on the exit from the radiator. The reduction of recombination spectrum to undistortion kind (that is to intrinsic or internal spectrum), which is carried out in this work, allows to determine the true parameters of corresponding quantum transition and to find out the mechanisms of recombination more adequately.