Please use this identifier to cite or link to this item: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/10888

Title: Система ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 за температури 770 K
Other Titles: System ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 at temperature 770 К
Authors: Блашко, Н. М.
Олексеюк, І. Д.
Марчук, О. В.
Гулай, Л. Д.
Blashko, N. M.
Oleksejuk, I. D.
Marchuk, O. V.
Gulay, L. D.
Affiliation: Східноєвропейський національний університет імені Л. Українки, Україна
Bibliographic description (Ukraine): Система ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 за температури 770 K / Н. М. Блашко, І. Д. Олексеюк, О. В. Марчук, Л. Д. Гулай // Збірник тез доповідей Ⅳ Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“, 25-26 листопада 2015 року — Т. : ТНТУ, 2015 — Том 1. — С. 45-46. — (Нові матеріали, міцність і довговічність елементів конструкцій).
Bibliographic description (International): Blashko N. M., Oleksejuk I. D., Marchuk O. V., Gulay L. D. (2015) Sistema ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 za temperaturi 770 K [System ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 at temperature 770 К]. Collection of abstracts Ⅳ International scientific conference of young scientists and students "Actual tasks of modern technology" (Tern., 25-26 November 2015), Volume 1, pp. 45-46 [in Ukrainian].
Is part of: Збірник тез доповідей Ⅳ Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“
Collection of abstracts Ⅳ International scientific conference of young scientists and students "Actual tasks of modern technology"
Conference/Event: Ⅳ Міжнародна науково-технічна конференція молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“
Journal/Collection: Збірник тез доповідей Ⅳ Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“
Volume: 1
Issue Date: 25-Nov-2015
Publisher: ТНТУ
TNTU
Place of the edition/event: Україна, Тернопіль
Ukraine, Ternopil
Temporal Coverage: 25-26 листопада 2015 року
25-26 November 2015
UDC: 54
Page range: 45-46
Start page: 45
End page: 46
URI: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/10888
Copyright owner: © Вісник Тернопільського національного технічного університету, 2015
References (Ukraine): 1. Schleid T. A-Pr2S3, D-Ho2S3 und E-Yb2S3: Synthese und Einkristalluntersuchungen / T. Schleid, F. Lissner // Z. Naturforschung. – 1996. – V.51. – Р. 733-738.
2. Rabadanov M. Kh. Anharmonic temperature factors and charge density in ZnS / M. Rabadanov // Kristallografiya. – 1995. – V.40(1). – P.21-27.
3. Kisi E. H. U parameters for the wurtzite structure of ZnS and ZnO using powder neutron diffraction / E. H Kisi., M. M. Elcombe // Acta Cryst. – 1989. – V.45. – P.1867-1870.
4. Refinement of the crystal structure of digallium trisulfide, Ga2S3 / [Jones C. Y., Bryan J. C., Kirschbaum K., Edwards J. G.] // Z. Kristallograph. – 2001. – V.216. – Р.327-328.
5. Determination des structures des formes alpha and beta de Ga2S3 / A. Tomas, M. Pardo, M. Guittard at al. // Mat. Res. Bull. – 1987. – V.22. – Р.1549-1554.
6. CSD-Universal program package for single crystal and powder structure data treatment / [L. G. Akselrud, Yu. N. Grin, P. Yu. Zavalii and others] // Collected Abstracts 12th European Crystallogr. Meet., Moscow, USSR, 20-28 August, – 1989. – Vol. 3. – P.155.
7. Lowe-Ma C. K. Structure of ZnGa2S4, a defect sphalerite derivative / C. K. LoweMa, T. A. Vanderah // J. Acta Cryst. –1991. – V.47. – Р.919-924.
8. Patrie M. Chimie minerale. Sur les composes du type Ce6Al10/3S14 / M. Patrie, M. Guittard // Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences. – 1966. – V.268. – Р.1136-1138.
References (International): 1. Schleid T. A-Pr2S3, D-Ho2S3 und E-Yb2S3: Synthese und Einkristalluntersuchungen, T. Schleid, F. Lissner, Z. Naturforschung, 1996, V.51, R. 733-738.
2. Rabadanov M. Kh. Anharmonic temperature factors and charge density in ZnS, M. Rabadanov, Kristallografiya, 1995, V.40(1), P.21-27.
3. Kisi E. H. U parameters for the wurtzite structure of ZnS and ZnO using powder neutron diffraction, E. H Kisi., M. M. Elcombe, Acta Cryst, 1989, V.45, P.1867-1870.
4. Refinement of the crystal structure of digallium trisulfide, Ga2S3, [Jones C. Y., Bryan J. C., Kirschbaum K., Edwards J. G.], Z. Kristallograph, 2001, V.216, R.327-328.
5. Determination des structures des formes alpha and beta de Ga2S3, A. Tomas, M. Pardo, M. Guittard at al., Mat. Res. Bull, 1987, V.22, R.1549-1554.
6. CSD-Universal program package for single crystal and powder structure data treatment, [L. G. Akselrud, Yu. N. Grin, P. Yu. Zavalii and others], Collected Abstracts 12th European Crystallogr. Meet., Moscow, USSR, 20-28 August, 1989, Vol. 3, P.155.
7. Lowe-Ma C. K. Structure of ZnGa2S4, a defect sphalerite derivative, C. K. LoweMa, T. A. Vanderah, J. Acta Cryst. –1991, V.47, R.919-924.
8. Patrie M. Chimie minerale. Sur les composes du type Ce6Al10/3S14, M. Patrie, M. Guittard, Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences, 1966, V.268, R.1136-1138.
Content type: Article
Appears in Collections:IV Міжнародна науково-технічна конференція молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“ (2015)



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.