Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/10888

Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorБлашко, Н. М.uk
dc.contributor.authorОлексеюк, І. Д.uk
dc.contributor.authorМарчук, О. В.uk
dc.contributor.authorГулай, Л. Д.uk
dc.contributor.authorBlashko, N. M.uk
dc.contributor.authorOleksejuk, I. D.uk
dc.contributor.authorMarchuk, O. V.uk
dc.contributor.authorGulay, L. D.uk
dc.coverage.temporal25-26 листопада 2015 рокуuk
dc.coverage.temporal25-26 November 2015uk
dc.date.accessioned2016-02-18T19:29:12Z-
dc.date.available2016-02-18T19:29:12Z-
dc.date.created2015-11-25uk
dc.date.issued2015-11-25uk
dc.identifier.citationСистема ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 за температури 770 K / Н. М. Блашко, І. Д. Олексеюк, О. В. Марчук, Л. Д. Гулай // Збірник тез доповідей Ⅳ Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“, 25-26 листопада 2015 року — Т. : ТНТУ, 2015 — Том 1. — С. 45-46. — (Нові матеріали, міцність і довговічність елементів конструкцій).uk
dc.identifier.urihttp://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/10888-
dc.format.extent45-46uk
dc.language.isoukuk
dc.publisherТНТУuk
dc.publisherTNTUuk
dc.relation.ispartofЗбірник тез доповідей Ⅳ Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“uk
dc.relation.ispartofCollection of abstracts Ⅳ International scientific conference of young scientists and students "Actual tasks of modern technology"uk
dc.titleСистема ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 за температури 770 Kuk
dc.title.alternativeSystem ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 at temperature 770 Кuk
dc.typeArticleuk
dc.rights.holder© Вісник Тернопільського національного технічного університету, 2015uk
dc.coverage.placenameУкраїна, Тернопільuk
dc.coverage.placenameUkraine, Ternopiluk
dc.subject.udc54uk
dc.relation.references1. Schleid T. A-Pr2S3, D-Ho2S3 und E-Yb2S3: Synthese und Einkristalluntersuchungen / T. Schleid, F. Lissner // Z. Naturforschung. – 1996. – V.51. – Р. 733-738.uk
dc.relation.references2. Rabadanov M. Kh. Anharmonic temperature factors and charge density in ZnS / M. Rabadanov // Kristallografiya. – 1995. – V.40(1). – P.21-27.uk
dc.relation.references3. Kisi E. H. U parameters for the wurtzite structure of ZnS and ZnO using powder neutron diffraction / E. H Kisi., M. M. Elcombe // Acta Cryst. – 1989. – V.45. – P.1867-1870.uk
dc.relation.references4. Refinement of the crystal structure of digallium trisulfide, Ga2S3 / [Jones C. Y., Bryan J. C., Kirschbaum K., Edwards J. G.] // Z. Kristallograph. – 2001. – V.216. – Р.327-328.uk
dc.relation.references5. Determination des structures des formes alpha and beta de Ga2S3 / A. Tomas, M. Pardo, M. Guittard at al. // Mat. Res. Bull. – 1987. – V.22. – Р.1549-1554.uk
dc.relation.references6. CSD-Universal program package for single crystal and powder structure data treatment / [L. G. Akselrud, Yu. N. Grin, P. Yu. Zavalii and others] // Collected Abstracts 12th European Crystallogr. Meet., Moscow, USSR, 20-28 August, – 1989. – Vol. 3. – P.155.uk
dc.relation.references7. Lowe-Ma C. K. Structure of ZnGa2S4, a defect sphalerite derivative / C. K. LoweMa, T. A. Vanderah // J. Acta Cryst. –1991. – V.47. – Р.919-924.uk
dc.relation.references8. Patrie M. Chimie minerale. Sur les composes du type Ce6Al10/3S14 / M. Patrie, M. Guittard // Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences. – 1966. – V.268. – Р.1136-1138.uk
dc.relation.referencesen1. Schleid T. A-Pr2S3, D-Ho2S3 und E-Yb2S3: Synthese und Einkristalluntersuchungen, T. Schleid, F. Lissner, Z. Naturforschung, 1996, V.51, R. 733-738.uk
dc.relation.referencesen2. Rabadanov M. Kh. Anharmonic temperature factors and charge density in ZnS, M. Rabadanov, Kristallografiya, 1995, V.40(1), P.21-27.uk
dc.relation.referencesen3. Kisi E. H. U parameters for the wurtzite structure of ZnS and ZnO using powder neutron diffraction, E. H Kisi., M. M. Elcombe, Acta Cryst, 1989, V.45, P.1867-1870.uk
dc.relation.referencesen4. Refinement of the crystal structure of digallium trisulfide, Ga2S3, [Jones C. Y., Bryan J. C., Kirschbaum K., Edwards J. G.], Z. Kristallograph, 2001, V.216, R.327-328.uk
dc.relation.referencesen5. Determination des structures des formes alpha and beta de Ga2S3, A. Tomas, M. Pardo, M. Guittard at al., Mat. Res. Bull, 1987, V.22, R.1549-1554.uk
dc.relation.referencesen6. CSD-Universal program package for single crystal and powder structure data treatment, [L. G. Akselrud, Yu. N. Grin, P. Yu. Zavalii and others], Collected Abstracts 12th European Crystallogr. Meet., Moscow, USSR, 20-28 August, 1989, Vol. 3, P.155.uk
dc.relation.referencesen7. Lowe-Ma C. K. Structure of ZnGa2S4, a defect sphalerite derivative, C. K. LoweMa, T. A. Vanderah, J. Acta Cryst. –1991, V.47, R.919-924.uk
dc.relation.referencesen8. Patrie M. Chimie minerale. Sur les composes du type Ce6Al10/3S14, M. Patrie, M. Guittard, Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences, 1966, V.268, R.1136-1138.uk
dc.identifier.citationenBlashko N. M., Oleksejuk I. D., Marchuk O. V., Gulay L. D. (2015) Sistema ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 za temperaturi 770 K [System ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 at temperature 770 К]. Collection of abstracts Ⅳ International scientific conference of young scientists and students "Actual tasks of modern technology" (Tern., 25-26 November 2015), Volume 1, pp. 45-46 [in Ukrainian].uk
dc.contributor.affiliationСхідноєвропейський національний університет імені Л. Українки, Українаuk
dc.citation.journalTitleЗбірник тез доповідей Ⅳ Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“uk
dc.citation.volume1uk
dc.citation.spage45uk
dc.citation.epage46uk
dc.citation.conferenceⅣ Міжнародна науково-технічна конференція молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“uk
Розташовується у зібраннях:IV Міжнародна науково-технічна конференція молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“ (2015)



Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.