Вплив теплового режиму світлодіодного джерела світла на надійність і довговічність

Abstract

В кваліфікаційній роботі було проведено теоретичний та експериментальний аналіз теплового режиму напівпровідникових джерел світла. Методами ступінчастих випробувань при підвищених температурах і підвищених струмах визначено енергії активації процесів деградації світлового потоку, прямої напруги, зворотного струму і колірної температури. Встановлено, що при прискорених випробуваннях при фіксованій температурі корпусу +85 С і прямому струмі 350 мА коефіцієнт прискорення збільшується в процесі випробувань в 1,5-1,7 рази через 1000 годин. Показано, що за результатами прискорених випробувань напівпровідникових джерел світла при температурі корпусу +85 С протягом 2000 годин, можна визначити середній термін служби, що становить близько 300000 годин.

In the qualifying work was conducted theoretical and experimental analysis of the thermal regime of semiconductor light sources. The activation energies of the processes of degradation of light flux, direct voltage, reverse current and color temperature were determined by the methods of step tests at elevated temperatures and elevated currents. It is established that at the accelerated tests at the fixed temperature of the case of +85 C and a direct current of 350 mA the coefficient of acceleration increases in the course of tests in 1,5-1,7 times in 1000 hours. It is shown that the results of accelerated tests of semiconductor light sources at a housing temperature of +85 C for 2000 hours, you can determine the average service life of about 300,000 hours .