Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/22967

Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorБойко, Ігор Володимирович-
dc.contributor.authorПетрик, Михайло Романович-
dc.contributor.authorBoyko, I. V.-
dc.contributor.authorPetryk, M. R.-
dc.date.accessioned2018-01-16T11:10:37Z-
dc.date.available2018-01-16T11:10:37Z-
dc.date.issued2017-06-30-
dc.date.submitted2018-01-16-
dc.identifier.urihttp://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/22967-
dc.description.abstractThe quantum mechanical theory of spectral parameters and dynamic conductivity of electrons, interacting with field of the created by them space charge in open flat resonance tunneling structure with a constant electric field in the model of rectangular potential wells and barriers has been developed. The influence of space charge on the conductivity of the experimentally realized nanostructures as the active region of a quantum cascade laser for different concentrations of electrons in the falling on the resonance tunneling structure beam, has been investigated.uk_UA
dc.description.abstractЗ використанням моделі прямокутних потенціальних ям і бар'єрів розвинена квантово-механічна теорія спектральних параметрів і динамічної провідності електронів, взаємодіючих із створюваним ними полем просторового заряду у відкритій плоскій резонансно-тунельній структурі з постійним електричним полем. Досліджено вплив просторового заряду на провідність експериментально реалізованої наноструктури як активної області квантового каскадного лазера для різних концентрацій електронів в падаючому на резонансно-тунельну структуру пучку.-
dc.description.abstractС использованием модели прямоугольных потенциальных ям и барьеров развита квантово-механическая теория спектральных параметров и динамической пр оводимости электронов, взаимодействующих с создаваемым ими полем пространственного заряда в открытой плоской резонансно-туннельной структуре с постоянным электрическим полем. Исследовано влияние пространственного заряда на проводимость экспериментально реализованной наноструктуры как активной области квантового каскадного лазера для различных концентраций электронов в падающем на резонансно-туннельную структуру пучке.-
dc.format.extent03030-1—03030-8-
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherJNEPuk_UA
dc.relation.ispartofseries9;-
dc.relation.urihttp://jnep.sumdu.edu.ua/en/component/content/full_article/2227-
dc.subjectcondensed matter physicsuk_UA
dc.subjectresonant-tunneling structureuk_UA
dc.subjectquantum cascade laser-
dc.subjectstatic charge-
dc.subjectdynamic charge-
dc.subjectdynamic conductivity-
dc.subjectрезонансно-тунельна структура-
dc.subjectквантовий каскадний лазер-
dc.subjectстатичний заряд-
dc.subjectдинамічний заряд-
dc.subjectдинамічна провідність-
dc.subjectрезонансно-туннельная структура-
dc.subjectквантовый каскадный лазер-
dc.subjectстатический заряд-
dc.subjectдинамический заряд-
dc.subjectдинамическая проводимость-
dc.titleInfluence of the Space Charge on Tunneling of Electrons and Their Conductivity by the Resonance Tunneling Structures in the Constant Electric Fielduk_UA
dc.title.alternativeВплив просторового заряду на тунелювання електронів та їх провідність резонансно-тунельними структурами в постійному електричному полі-
dc.title.alternativeВлияние пространственного заряда на туннелирование электронов и их проводимость резонансно-туннельными структурами в постоянном электрическом поле-
dc.typeArticleuk_UA
dc.rights.holderJNEPuk_UA
dc.coverage.placenameJ. Nano- Electron. Phys.uk_UA
dc.format.pages10-
dc.relation.referencesen1. D. Turčinková, M. I. Amanti, G. Scalari, M. Beck and J. Faist, Appl. Phys. Lett. 106, 131107 (2015). 2. J. M. Wolf, S. Riedi, M. G. Süess, M. Beck and J. Faist, Optics Express. 24, 662 (2016). 3. D. Hofstetter, F. R. Giorgetta, E. Baumann, Q. Yang, C. Manz, and K. Kohler, Appl. Phys. Lett. 93, 221106 (2008). 4. Ju. O. Seti, M. V. Tkach, I. V. Boyko, J. Optoelectron. Adv. M. 14, 393 (2012). 5. Ju. O. Seti, M. V. Tkach, M. V. Pan'kiv, J. Phys. Stud. 20, 1703 (2016). 6. X. Gao, D. Botez, I. Knezevic, J. Appl. Phys. 103, 073101 (2008). 7. M. V. Tkach, Ju. O. Seti, Y. B. Grynyshyn, O. M. Voitsekhivska, Acta Phys. Pol. A. 128, 343-343 (2015). 8. O. O. Celleka, S. Memis, U. Bostanci, S. Ozer, C. Besikci, Physica E. 24, 318 (2004). 9. V. Ryzhii, M. Ryzhii, H. C. Liu, J. Appl. Phys. 91, 5887 (2002). 10. A. B. Pashkovskii, Semiconductors 34, 334 (2000). 11. A. B. Pashkovskii, Semiconductors 43, 1316 (2009). 12. M. V. Tkach, Ju. O. Seti, I. V. Boyko, O. M. Voitsekhivska, Condens. Matter. Phys. 13, 33701 (2013). 13. D. Hofstetter, M. Beck, T. Aellen, J. Faist, Appl .Phys. Lett. 78, 396 (2001).uk_UA
dc.identifier.doi10.21272/jnep.9(3).03030-
dc.contributor.affiliationТернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюяuk_UA
dc.contributor.affiliationTernopil National Technical University-
dc.contributor.affiliationТернопольский национальный технический университет имени Ивана Пулюя-
dc.subject.pacs73.21.Fguk_UA
dc.subject.pacs68.65.Ac-
dc.subject.pacs68.65.Cd-
dc.citation.journalTitleJournal of Nano- and Electronic Physics-
dc.citation.journalTitleЖурнал нано- та електронної фізики-
dc.citation.volume9-
dc.citation.spage03030-1-
dc.citation.epage03030-8-
dc.coverage.countryUAuk_UA
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації працівників кафедри програмної інженерії

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
jnep_V9_03030[1].pdf549,21 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити
jnep_V9_03030[1].djvu195,78 kBDjVuПереглянути/відкрити
jnep_V9_03030[1]__COVER.png424,68 kBimage/pngПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

Інструменти адміністратора