Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/22967

Titre: Influence of the Space Charge on Tunneling of Electrons and Their Conductivity by the Resonance Tunneling Structures in the Constant Electric Field
Autre(s) titre(s): Вплив просторового заряду на тунелювання електронів та їх провідність резонансно-тунельними структурами в постійному електричному полі
Влияние пространственного заряда на туннелирование электронов и их проводимость резонансно-туннельными структурами в постоянном электрическом поле
Auteur(s): Бойко, Ігор Володимирович
Петрик, Михайло Романович
Boyko, I. V.
Petryk, M. R.
Affiliation: Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя
Ternopil National Technical University
Тернопольский национальный технический университет имени Ивана Пулюя
Journal/Collection: Journal of Nano- and Electronic Physics
Журнал нано- та електронної фізики
Volume: 9
Date de publication: 30-jui-2017
Submitted date: 16-jan-2018
Date of entry: 16-jan-2018
Editeur: JNEP
Country (code): UA
Place of the edition/event: J. Nano- Electron. Phys.
DOI: 10.21272/jnep.9(3).03030
Physics and Astronomy Classification Scheme (PACS): 73.21.Fg
68.65.Ac
68.65.Cd
Mots-clés: condensed matter physics
resonant-tunneling structure
quantum cascade laser
static charge
dynamic charge
dynamic conductivity
резонансно-тунельна структура
квантовий каскадний лазер
статичний заряд
динамічний заряд
динамічна провідність
резонансно-туннельная структура
квантовый каскадный лазер
статический заряд
динамический заряд
динамическая проводимость
Number of pages: 10
Page range: 03030-1—03030-8
Start page: 03030-1
End page: 03030-8
Collection/Numéro: 9;
Résumé: The quantum mechanical theory of spectral parameters and dynamic conductivity of electrons, interacting with field of the created by them space charge in open flat resonance tunneling structure with a constant electric field in the model of rectangular potential wells and barriers has been developed. The influence of space charge on the conductivity of the experimentally realized nanostructures as the active region of a quantum cascade laser for different concentrations of electrons in the falling on the resonance tunneling structure beam, has been investigated.
З використанням моделі прямокутних потенціальних ям і бар'єрів розвинена квантово-механічна теорія спектральних параметрів і динамічної провідності електронів, взаємодіючих із створюваним ними полем просторового заряду у відкритій плоскій резонансно-тунельній структурі з постійним електричним полем. Досліджено вплив просторового заряду на провідність експериментально реалізованої наноструктури як активної області квантового каскадного лазера для різних концентрацій електронів в падаючому на резонансно-тунельну структуру пучку.
С использованием модели прямоугольных потенциальных ям и барьеров развита квантово-механическая теория спектральных параметров и динамической пр оводимости электронов, взаимодействующих с создаваемым ими полем пространственного заряда в открытой плоской резонансно-туннельной структуре с постоянным электрическим полем. Исследовано влияние пространственного заряда на проводимость экспериментально реализованной наноструктуры как активной области квантового каскадного лазера для различных концентраций электронов в падающем на резонансно-туннельную структуру пучке.
URI/URL: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/22967
Copyright owner: JNEP
URL for reference material: http://jnep.sumdu.edu.ua/en/component/content/full_article/2227
References (International): 1. D. Turčinková, M. I. Amanti, G. Scalari, M. Beck and J. Faist, Appl. Phys. Lett. 106, 131107 (2015). 2. J. M. Wolf, S. Riedi, M. G. Süess, M. Beck and J. Faist, Optics Express. 24, 662 (2016). 3. D. Hofstetter, F. R. Giorgetta, E. Baumann, Q. Yang, C. Manz, and K. Kohler, Appl. Phys. Lett. 93, 221106 (2008). 4. Ju. O. Seti, M. V. Tkach, I. V. Boyko, J. Optoelectron. Adv. M. 14, 393 (2012). 5. Ju. O. Seti, M. V. Tkach, M. V. Pan'kiv, J. Phys. Stud. 20, 1703 (2016). 6. X. Gao, D. Botez, I. Knezevic, J. Appl. Phys. 103, 073101 (2008). 7. M. V. Tkach, Ju. O. Seti, Y. B. Grynyshyn, O. M. Voitsekhivska, Acta Phys. Pol. A. 128, 343-343 (2015). 8. O. O. Celleka, S. Memis, U. Bostanci, S. Ozer, C. Besikci, Physica E. 24, 318 (2004). 9. V. Ryzhii, M. Ryzhii, H. C. Liu, J. Appl. Phys. 91, 5887 (2002). 10. A. B. Pashkovskii, Semiconductors 34, 334 (2000). 11. A. B. Pashkovskii, Semiconductors 43, 1316 (2009). 12. M. V. Tkach, Ju. O. Seti, I. V. Boyko, O. M. Voitsekhivska, Condens. Matter. Phys. 13, 33701 (2013). 13. D. Hofstetter, M. Beck, T. Aellen, J. Faist, Appl .Phys. Lett. 78, 396 (2001).
Content type: Article
Collection(s) :Наукові публікації працівників кафедри програмної інженерії

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
jnep_V9_03030[1].pdf549,21 kBAdobe PDFVoir/Ouvrir
jnep_V9_03030[1].djvu195,78 kBDjVuVoir/Ouvrir
jnep_V9_03030[1]__COVER.png424,68 kBimage/pngVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.

Outils d'administration