1. ELARTU — Інституційний репозитарій ТНТУ імені Івана Пулюя
  2. Вісник ТНТУ
  3. 2003
  4. Вісник ТДТУ, 2003, том 8, № 3
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/41027

Назва: Вплив імпульсів зворотної напруги на електрофізичні параметри контактів метал-кремній
Інші назви: The influence of the impulses of the reverse tension on the electrophisical parameters of MoSi2-n-Si contacts
Автори: Лісняк, П.
Lisnjak, P.
Приналежність: Тернопільський державний педагогічний університет імені Володимира Гнатюка
Бібліографічний опис: Лісняк П. Вплив імпульсів зворотної напруги на електрофізичні параметри контактів метал-кремній / Лісняк П. // Вісник ТДТУ. — Т. : ТДТУ, 2003. — Том 8. — № 3. — С. 116–121. — (Математичне моделювання. Математика. Фізика).
Bibliographic description: Lisnjak P. (2003) Vplyv impulsiv zvorotnoi napruhy na elektrofizychni parametry kontaktiv metal-kremnii [The influence of the impulses of the reverse tension on the electrophisical parameters of MoSi2-n-Si contacts]. Scientific Journal of TSTU (Tern.), vol. 8, no 3, pp. 116-121 [in Ukrainian].
Є частиною видання: Вісник Тернопільського державного технічного університету, 3 (8), 2003
Scientific Journal of the Ternopil State Technical University, 3 (8), 2003
Журнал/збірник: Вісник Тернопільського державного технічного університету
Випуск/№ : 3
Том: 8
Дата публікації: 26-лют-2002
Дата подання: 4-лют-2003
Дата внесення: 12-тра-2023
Видавництво: ТДТУ
TSTU
Місце видання, проведення: Тернопіль
Ternopil
УДК: 621.382
Кількість сторінок: 6
Діапазон сторінок: 116-121
Початкова сторінка: 116
Кінцева сторінка: 121
Короткий огляд (реферат): У статті розглянуто вплив імпульсів зворотної напруги на електрофізичні параметри контак-тів MoSi2-n-Si. Встановлено, що внаслідок тих впливів відбувається перебудова електронних станів межі поділу, зростає параметр перехідного шару , змінюється вольт-амперна характеристика.
The article analyzes the influence of the impulses of the revers tension on the electrophysical parame-ters of MoSi2-n-Si contacts. It has been revealed that as a result of this influence there is rearrangement of the electronic conditions of the division border, the parameter of transitional layer increases, and the volt-ampere characteristic changes.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/41027
ISSN: 1727-7108
Власник авторського права: © Тернопільський державний технічний університет імені Івана Пулюя, 2002
Перелік літератури: 1. Царенко О.М., Ткачук А.І., Рябець С.І. Одержання та дослідження діодних структур на основі бага-токомпонентних твердих розчинів сполук А4В6/ Фізичний збірник НТШ. – 2001. – Т.4. – С. 142-147.
2. Царенко О.М., Ткачук А.І. Форування та дослідження бар’єрних структур Аg / тонкий проміжний тунельно-прозорий діелектричний шар оксиду / p – Pb Sn Te Se / Pt // Вісник Кременчуцько-го державного політехнічного університету. – 2001. – Вип.2(11). – С. 254-259.
3. Царенко О.М., Ткачук А.І. Особливості формування та властивості діодів Шотки на основі твердих розчинів сполук А4В6 / Наукові записки КДПУ. Сер. фіз.-мат. науки. – 2002. – Вип.43. – С.122-138.
4. Ветров А.П., Ильченко В.В., Лисняк П.Г. и др. О возможности изменения свойств контактов силицид молиблена-кремний при импульсных воздействиях / Радиотехника и электроника. – 1993. – Т.38, Вып.4. – С.760-764.
5. Ильченко В.В., Лисняк П.Г., Стриха В.И. и др. О влиянии гамма-радиации на механизм переноса за-ряда контакта дисилицид платини-кремний // Физические основы надежности и деградации полу-проводниковых приборов. Тезисы докладов. Кишинев. – 1991. – Т.1. – С.45.
6. Стріха В.І., Скришевський В.А.,Козинець О.В. та ін. Вплив - шарів на темнові вольт-амперні ха-рактеристики кремнієвих p-n-переходів при проходженні струму через локальні рівні. / УФЖ. – 2000. – Т. 45, вип. 12. – С. 1458-1463.
7. Бойко Ю.В., Кильчицька С.С., Кильчицька Т.С. та ін. Про роль поверхневих станів у перенесенні фотоструму в структурах метал-тунельний діелектрик-напівпровідник. / УФЖ. – 1994. – Т.39. Вип.6. – С. 723-726.
8. Волков. С.Г., Євтух А.А., Литовченко В.Г. та ін. Гетерування рекомбінаційно-активних домішок у мультикристалічному кремнії при швидких термічних обробках. / УФЖ. – 2002. – Т.47. Вип.7. – С.684-689.
9. Кричер Д., Литовченко В.Г., Романюк Б.М. та ін. Планарне гетерування домішок металів в шарах Si та SiGe, вирощених методом МПЕ на підкладках Si. / УФЖ. – 2002. – Т.45. Вип.7. – С. 873-877.
10. Комашко В.А., Попов В.И, Белоусов В.И и др. Электрофизические свойства пленок ниобия, полу-ченных конденсацией в вакууме / Электронная техника. Серия 1. Электроника СВЧ. – 1976. – 4. – С.105-110.
11. Бузанева Е.В., Стриха В.И., Чайка Г.В. Об образовании поверхностного заряда на границе раздела металл –полупроводник / УФЖ -1983. – Т. 28. – N 4. – С.575-581,
12. Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. – М.: Сов. Радио, 1974. – 248с.
13. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл – полупроводник. – К. : Наукова думка, 1974. – 263с.
References: 1. Tsarenko O.M., Tkachuk A.I., Riabets S.I. Oderzhannia ta doslidzhennia diodnykh struktur na osnovi baha-tokomponentnykh tverdykh rozchyniv spoluk A4V6/ Fizychnyi zbirnyk NTSh, 2001, V.4, P. 142-147.
2. Tsarenko O.M., Tkachuk A.I. Foruvannia ta doslidzhennia bariernykh struktur Ag, tonkyi promizhnyi tunelno-prozoryi dielektrychnyi shar oksydu, p – Pb Sn Te Se, Pt, Visnyk Kremenchutsko-ho derzhavnoho politekhnichnoho universytetu, 2001, Iss.2(11), P. 254-259.
3. Tsarenko O.M., Tkachuk A.I. Osoblyvosti formuvannia ta vlastyvosti diodiv Shotky na osnovi tverdykh rozchyniv spoluk A4V6, Naukovi zapysky KDPU. Ser. fiz.-mat. nauky, 2002, Iss.43, P.122-138.
4. Vetrov A.P., Ilchenko V.V., Lisniak P.H. and other O vozmozhnosti izmeneniia svoistv kontaktov silitsid moliblena-kremnii pri impulsnykh vozdeistviiakh, Radiotekhnika i elektronika, 1993, V.38, Iss.4, P.760-764.
5. Ilchenko V.V., Lisniak P.H., Strikha V.I. and other O vliianii hamma-radiatsii na mekhanizm perenosa za-riada kontakta disilitsid platini-kremnii, Fizicheskie osnovy nadezhnosti i dehradatsii polu-provodnikovykh priborov. Tezisy dokladov. Kishinev, 1991, V.1, P.45.
6. Strikha V.I., Skryshevskyi V.A.,Kozynets O.V. and other Vplyv - shariv na temnovi volt-amperni kha-rakterystyky kremniievykh p-n-perekhodiv pry prokhodzhenni strumu cherez lokalni rivni., UFZh, 2000, V. 45, Iss. 12, P. 1458-1463.
7. Boiko Yu.V., Kylchytska S.S., Kylchytska T.S. and other Pro rol poverkhnevykh staniv u perenesenni fotostrumu v strukturakh metal-tunelnyi dielektryk-napivprovidnyk., UFZh, 1994, V.39. Iss.6, P. 723-726.
8. Volkov. S.H., Yevtukh A.A., Lytovchenko V.H. and other Heteruvannia rekombinatsiino-aktyvnykh domishok u multykrystalichnomu kremnii pry shvydkykh termichnykh obrobkakh., UFZh, 2002, V.47. Iss.7, P.684-689.
9. Krycher D., Lytovchenko V.H., Romaniuk B.M. and other Planarne heteruvannia domishok metaliv v sharakh Si ta SiGe, vyroshchenykh metodom MPE na pidkladkakh Si., UFZh, 2002, V.45. Iss.7, P. 873-877.
10. Komashko V.A., Popov V.I, Belousov V.I and other Elektrofizicheskie svoistva plenok niobiia, polu-chennykh kondensatsiei v vakuume, Elektronnaia tekhnika. Seriia 1. Elektronika SVCh, 1976, 4, P.105-110.
11. Buzaneva E.V., Strikha V.I., Chaika H.V. Ob obrazovanii poverkhnostnoho zariada na hranitse razdela metall –poluprovodnik, UFZh -1983, V. 28, N 4, P.575-581,
12. Strikha V.I., Buzaneva E.V., Radzievskii I.A. Poluprovodnikovye pribory s barerom Shottki, M., Sov. Radio, 1974, 248p.
13. Strikha V.I. Teoreticheskie osnovy raboty kontakta metall – poluprovodnik, K. : Naukova dumka, 1974, 263p.
Тип вмісту: Article
Розташовується у зібраннях:Вісник ТДТУ, 2003, том 8, № 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
TSTUSJ_2003v8n3_Lisnjak_P-The_influence_of_the_impulses_116-121.pdf615,04 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити
TSTUSJ_2003v8n3_Lisnjak_P-The_influence_of_the_impulses_116-121.djvu126,91 kBDjVuПереглянути/відкрити
TSTUSJ_2003v8n3_Lisnjak_P-The_influence_of_the_impulses_116-121__COVER.png484,35 kBimage/pngПереглянути/відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.