Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/7861

Назва: Дослідження кінетики впливу парів ефіру на фізичні характеристики контактів SnO2–р–Si
Автори: Гуль, Руслан Володимирович
Приналежність: Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя
Бібліографічний опис: Гуль Р. В. Дослідження кінетики впливу парів ефіру на фізичні характеристики контактів SnO2–р–Si / Руслан Володимирович Гуль // Матеріали Ⅱ науково-технічної конференції „Інформаційні моделі, системи та технології“, 25 квітня 2012 року — Т. : ТНТУ, 2012 — С. 55. — (Секція 5. Новітні фізико-технічні та освітні технології).
Bibliographic description: Hul R. V. (2012) Doslidzhennia kinetyky vplyvu pariv efiru na fizychni kharakterystyky kontaktiv SnO2–r–Si. Materialy Ⅱ naukovo-tekhnichnoi konferentsii "Informatsiini modeli, systemy ta tekhnolohii" (Tern., April 25, 2012), pp. 55 [in Ukrainian].
Є частиною видання: Матеріали Ⅱ науково-технічної конференції „Інформаційні моделі, системи та технології“
Конференція/захід: Ⅱ Науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“
Журнал/збірник: Матеріали Ⅱ науково-технічної конференції „Інформаційні моделі, системи та технології“
Дата публікації: 25-кві-2012
Дата внесення: 27-січ-2016
Видавництво: ТНТУ
TNTU
Місце видання, проведення: Україна, Тернопіль
Ukraine, Ternopil
Часове охоплення: 25 квітня 2012 року
April 25, 2012
УДК: 621.382
Діапазон сторінок: 55
Початкова сторінка: 55
Кінцева сторінка: 55
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/7861
Перелік літератури: 1. Simon M. Sze. Semiconductor Sensors.- 1994, 576 p.
References: 1. Simon M. Sze. Semiconductor Sensors, 1994, 576 p.
Тип вмісту: Article
Розташовується у зібраннях:Ⅱ науково-технічна конференція „Інформаційні моделі, системи та технології“ (2012)



Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.