Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/5133

Назва: Локалізація електронів у матеріалах із андерсон-габбардівськими центрами
Інші назви: Localization of electrons in materials with anderson-hubbard centers
Автори: Skorenkyy, Yuriy
Бібліографічний опис: Скоренький Ю. Л. Локалізація електронів у матеріалах із андерсон-габбардівськими центрами / Юрій Скоренький // Збірник праць. Т.7: Праці Інженерно-технічної комісії / Тернопільський осередок Наукового товариства ім. Шевченка / відп. ред.: М. Андрейчин, ред. тому: П. Ясній. — Тернопіль : Джура, 2012. — Том 7. — С. 135-143. — (фізико-математичне моделювання в техніці та технології).
Skorenkyy Y. Localization of electrons in materials with anderson-hubbard centers / Yuriy Skorenkyy // Scientific collection. Vol.7: Proceedings of Technical Engineering Commission / Ternopil Branch of Shevchenko Scientific Society. — Ternopil : Dzhura, 2012. — Volume 7. — P. 135-143. — (physical and mathematical modeling in engineering and technology).
Дата публікації: 27-лис-2012
Дата внесення: 26-лис-2014
Видавництво: Джура
Місце видання, проведення: Тернопіль
УДК: 537.311
Теми: андерсон-габбардівські центри
хімічний потенціал
ефективні маси носіїв струму
Anderson-Hubbard centers
chemical potential
effective masses of current carriers
Короткий огляд (реферат): В роботі досліджено поведінку хімічного потенціалу та ефективної маси носіїв струму в моделі електронної підсистеми матеріалу із періодично розташованими андерсон-габбардівськими центрами. Ефект прикладання зовнішнього тиску враховано шляхом включення в гамільтоніан доданків, які описують фононну підсистему та пружну енергію кристалічної ґратки. Встановлено області значень концентрації електронів, яким характерні різні типи провідності.
Behavior of chemical potential and effective masses of current carriers in the model of a strongly correlated system with periodically spaced Anderson-Hubbard centers has been studied. Effect of the external pressure has been taken into account in the Hamiltonian terms which describe phonon subsystem and elastic energy of crystal lattice. The concentration regions with different types of conductivity have been identified.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/5133
ISBN: 978-966-185-085-8
Власник авторського права: © Тернопільський осередок Наукового товариства ім. Шевченка, 2012
Тип вмісту: Article
Розташовується у зібраннях:Збірник праць ТО НТШ, Т. 7, 2012



Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.