霂瑞霂��撘����迨��辣:
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/2025
Title: | Influence of Ge isovalent impurity on anisotropic parameters of n-Si single crystals |
Other Titles: | Вплив ізовалентної домішки Ge на анізотропні параметри кристалів n-Si |
Authors: | Misyuk, S. Місюк, С. |
Bibliographic description (Ukraine): | Місюк С. Вплив ізовалентної домішки Ge на анізотропні параметри кристалів n-Si / Місюк С. // Вісник ТНТУ. — 2012. — Том 65. — № 1. — С.53-58. — (механіка та матеріалознавство). |
Issue Date: | 6-二月-2012 |
Date of entry: | 12-四月-2013 |
Publisher: | Тернопільський національний технічний університет ім. Івана Пулюя |
Place of the edition/event: | Тернопіль, Україна |
UDC: | 620 538.9 |
Keywords: | isovalent impurity piezoresistance single crystal relaxation time electron mobility parameter of relaxation times anisotropy ізовалентна домішка п’єзоопір кристал час релаксації рухливість електронів параметр анізотропії часів релаксації |
Abstract: | The paper presents results of influence Ge Isovalent Impurity on anisotropic parameters of n-Si single crystals. The experimental results for investigated single crystals are shown that introduction Ge Isovalent Impurity into n-Si significantly reduce relaxation time <> and electron mobility; brings to a reduction piezoresistance effect. Increasing of Ge Isovalent Impurity is changing the corresponding anisotropy parameters. Electron collision with Isovalent Impurity is close to isotropy scattering. Zone characteristic of single crystals n-Si with Ge Isovalent Impurity doesn’t change up to NGe 201019 cm 3. Представлено результати досліджень впливу ізовалентної домішки Ge на анізотропні параметри кристалів n-Si. Експериментальні результати для досліджених кристалів показали, що введеня ізовалентної домішки Ge в кристали n-Si суттєво зменшує час релаксації <>, рухливість електронів та призводить до зменшення п’єзопору. Розсіювання електронів ізовалентними домішками германію є близьким до ізотропного. Зонні характеристики кристалів n-Si з умістом ізовалентної дмішки Ge з концентрацією NGe 201019 cm 3 не змінюються. |
URI: | http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/2025 |
ISSN: | 1727-7108 |
Copyright owner: | © „Вісник Тернопільського національного технічного університету“ |
Publications status : | Опубліковано раніше |
Content type: | Article |
�蝷箔����: | Вісник ТНТУ, 2012, № 1 (65) |
��辣銝剔�﹝獢�:
�DSpace銝剜�������★��������雿��.