Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/18479

Назва: The Spectrum of Transverse Acoustic Phonons in Planar Multilayer Semiconductor Nanostructures
Інші назви: Cпектр поперечних акустичних фононів у плоских багатошарових напівпровідникових наноструктурах
Спектр поперечных акустических фононов в плоских многослойных полупроводниковых наноструктурах
Автори: Boyko, I.V.
Gryschuk, A.M.
Бойко, Ігор Володимирович
Грищук, Андрій Миколайович
Приналежність: Ternopil National Technical University, 56, Ruska st., 46001 Ternopil, Ukraine
Zhytomyr Ivan Franko State University, 40, Velyka Berdichevska st., 10033 Zhytomyr, Ukraine
Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя, вул. Руська, 56, 46001 Тернопіль, Україна
Житомирський державний університет імені Івана Франка, вул. Велика Бердичівська, 40, 10033 Житомир, Україна
Бібліографічний опис: І.В. Бойко, A.M. Грищук. Cпектр поперечних акустичних фононів у плоских багатошарових напівпровідникових наноструктурах. J. Nano- Electron. Phys, 8(4),04001-1 - 04001-5, (2016)
Bibliographic description: I.V. Boyko, A.M. Gryschuk. The Spectrum of Transverse Acoustic Phonons in Planar Multilayer Semiconductor Nanostructures J. Nano- Electron. Phys, 8(4),04001-1 - 04001-5, (2016)
Журнал/збірник: Journal of nano- and electronic physics
Журнал нано- та електронної фізики
Випуск/№ : 4(1)
Том: 8
Дата публікації: гру-2016
Видавництво: Sumy State University, Journal of Nano-and Electronic Physics
DOI: 10.21272/jnep.8(4(1)).04001
УДК: 538.935
538.915
538.971
Код класифікації з фізики та астрономії (PACS): 73.21.Fg
68.65.Ac
68.65.Cd
Теми: nanosystems
quantum cascade laser
quantum cascade detector
resonant tunnel structure
acoustic phonons
transfer matrix
квантовий каскадний лазер
квантовий каскадний детектор
резонансно-тунельна структура
акустичні фонони
трансфер-матриця
квантовый каскадный лазер
квантовый каскадный детектор
резонансно-туннельная структура
акустические фононы
трансфер-матрица
Кількість сторінок: 5
Початкова сторінка: 04001-1
Кінцева сторінка: 04001-5
Короткий огляд (реферат): Based on the elastic continuum model, the theory of displacement of acoustic phonons spectra, arising in flat semiconductor nanostructures, was developed. For the studied resonant tunneling structure, which can be an active element of a quantum cascade laser or detector, the spectrum of acoustic phonons modes has been calculated. The dependences of the acoustic phonon spectrum from geometric parameters of studied nanostructure were set. The results obtained in the paper can be used to further theoretical studies of the electrons interaction with the transverse acoustic phonons in multilayer semiconductor nanosystems.
У моделі пружного континууму розвинена теорія енергетичного спектру поперечних акустичних фононів, що виникають у плоских напівпровідникових наноструктурах. Для досліджуваної резонанс- но-тунельної структури, що може виконувати роль активного елемента квантового каскадного лазера чи детектора, розраховано спектр акустичних фононних мод. Встановлено залежності спектру акуст и- чних фононів від геометричних параметрів досліджуваної наноструктури. Розвинена теорія може бути використана для подальшого теоретичного дослідження процесів взаємодії електронів з акустичними фононами у багатошарових наноструктурах.
В модели упругого континуума развита теория энергетического спектра поп еречных акустических фононов, возникающих в плоских полупроводниковых наноструктурах. Для исследуемой резонансно - туннельной структуры, которая может выполнять роль активного элемента квантового каскадного л а- зера или детектора, рассчитан спектр акустических фононных мод. Установлены зависимости спектра акустических фононов от геометрических параметров исследуемой наноструктуры. Развитая теория может быть использована для дальнейшего теоретического исследования процессов взаимодействия электронов с акустическими фононами в многослойных наноструктурах.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/18479
Власник авторського права: JNEP
References: 1. L. Schrottke, X. Lü, G. Rozas, K. Biermann and H. T. Grahn, Appl. Phys. Lett. 108, 102102 (2016). 2. J.D. Kirch, C.-C. Chang, C. Boyle, L. J. Mawst, D. Lindberg III, T. Earles and D. Botez, Appl. Phys. Lett. 106, 151106 (2014). 3. A. Buffaz, M. Carras, L. Doyennette, A. Nedelcu, X. Marcadet, V. Berger, Appl. Phys. Lett. 96, 172101 (2010). 4. M.V. Tkach, Ju.O. Seti, Y. B. Grynyshyn, O.M. Voitsekhivska, Acta Phys. Pol. A. 128, 343 (2015). 5. N.V. Tkach, Ju.A. Seti, V.A. Matijek, I.V. Boyko, Semiconductors 46, 1304 (2012). 6. I.V. Boyko, Ukr. J. Phys. 1, 66 (2016). 7. N.V. Tkach, I.V. Boyko, Ju.A. Seti, G.G. Zegrya, Tech. Phys. Lett. 39, 520 (2013). 8. A.M. Gryschuk, I.V. Boyko, Semiconductor Phys., Quantum Electron. Optoelectron. 2, 123 (2015). 9. I.V. Boyko, Yu.B. Grynyshyn, Ju.O. Seti, M.V. Tkach, J. Phys. Stud. 18, 4702 (2015). 10. M. Tkach, Ju. Seti, I. Boyko, O. Voitsekhivska, Condens. Matt. Phys. 16, 33701 (2013). 11. M. Tkach, Ju. Seti, I. Boyko, O. Voitsekhivska, Romanian Report. Phys. 65, 1443 (2013). 12. N. Bannov, V. Mitin, M. Stroscio, phys. status solidi b 183, 131 (1994). 13. N. Nishiguchi, Phys. Rev. B 50, 10970 (1994). 14. S.M. Komirenko, K.W. Kim, A.A. Demidenko, V.A. Kochelap, M. A. Stroscio, Appl. Phys. Lett. 76, 1869 (2000). 15. B. Djafari-Rouhani, L. Dobrzynski, O. Hardouin Duparc, R.E. Camley, A.A. Maradudin, Phys. Rev. B 28, 1711 (1983). 16. L. Wendler, V.G. Grigoryan, Surf. Sci. 206, 203 (1988).
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації працівників кафедри програмної інженерії

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
jnep_2016_V8_04001[1].pdf361,37 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити
jnep_2016_V8_04001[1].djvu126,79 kBDjVuПереглянути/відкрити
jnep_2016_V8_04001[1]__COVER.png437,94 kBimage/pngПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

Інструменти адміністратора