Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/16083

Назва: Вплив радіаційних дефектів на процеси формування прихованих шарів SіО2 в кремнії
Автори: Москаль, Д.
Приналежність: ПВНЗ «Європейський університет», Тернопільська філія
Бібліографічний опис: Москаль Д. Вплив радіаційних дефектів на процеси формування прихованих шарів SіО2 в кремнії / Д. Москаль // Матеріали Ⅻ наукової конференції ТДТУ ім. Ів. Пулюя, 14-15 травня 2008 року — Т. : ТДТУ, 2008 — С. 213. — (Фізика).
Bibliographic description: Moskal D. (2008) Vplyv radiatsiinykh defektiv na protsesy formuvannia prykhovanykh shariv SiO2 v kremnii. Materials of Ⅻ Scientific Conference of TSTU (Tern., 14-15 May 2008), pp. 213 [in Ukrainian].
Є частиною видання: Матеріали дванадцятої наукової конференції Тернопільського державного технічного університету імені Івана Пулюя
Materials of Twelfth Scientific Conference of Ternopil Ivan Pul'uj State Technical University
Конференція/захід: Ⅻ наукова конференція Тернопільського державного технічного університету імені Івана Пулюя
Журнал/збірник: Матеріали дванадцятої наукової конференції Тернопільського державного технічного університету імені Івана Пулюя
Дата публікації: 14-тра-2008
Дата внесення: 24-тра-2016
Видавництво: ТДТУ
TSTU
Місце видання, проведення: Україна, Тернопіль
Ukraine, Ternopil
Часове охоплення: 14-15 травня 2008 року
14-15 May 2008
УДК: 621.382
Кількість сторінок: 1
Діапазон сторінок: 213
Початкова сторінка: 213
Кінцева сторінка: 213
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/16083
ISBN: 966-305-007-7
Власник авторського права: © Тернопільський державний технічний університет імені Івана Пулюя, 2008
Тип вмісту: Article
Розташовується у зібраннях:Ⅻ наукова конференція ТДТУ (2008)



Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.