1. ELARTU — Інституційний репозитарій ТНТУ імені Івана Пулюя
2. Матеріали конференцій, семінарів, читань
3. 2010
4. Науковий семінар „Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики“ (2010)

Títol:	Відносний відгук гетероструктур Al-(n-Sn2)-p-Si-Al на зміну газового середовища
Autor:	Гуль, Руслан Володимирович
Affiliation:	Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя
Bibliographic description (Ukraine):	Гуль Р. В. Відносний відгук гетероструктур Al-(n-Sn2)-p-Si-Al на зміну газового середовища / Р. В. Гуль // Матеріали наукового семінару “Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики”, 27-28 січня 2010 року — Т. : ТНТУ, 2010 — С. 55-56.
Bibliographic description (International):	Hul R. V. (2010) Vidnosnyi vidhuk heterostruktur Al-(n-Sn2)-p-Si-Al na zminu hazovoho seredovyshcha. Proceedings of the seminar "Actual Problems of Theoretical and Experimental Physics" (Tern., 27-28 January 2010), pp. 55-56 [in Ukrainian].
Is part of:	Матеріали наукового семінару “Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики” Proceedings of the seminar "Actual Problems of Theoretical and Experimental Physics"
Conference/Event:	Науковий семінар „Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики“
Journal/Collection:	Матеріали наукового семінару “Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики”
Data de publicació:	27-de -2010
Date of entry:	21-de -2016
Editorial:	ТНТУ TNTU
Place of the edition/event:	Україна, Тернопіль Ukraine, Ternopil
Temporal Coverage:	27-28 січня 2010 року 27-28 January 2010
Page range:	55-56
Start page:	55
End page:	56
URI:	http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/12153
Copyright owner:	© Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя, 2010
References (Ukraine):	[1] Vikulov V.A., Strikha V.I., Skryshevsku V.A., Kilchitskaya S.S., E. Souteyrand, J - R Martin. Electrical features of the metal-thin porous silicon-silicon structure. Journal of physics. D: Appl. Physics 33 (2000) 1957-1964. [2] С. С. Галак, В. В. Ильченко, А. М. Кордубан, А. П. Шпак, А. В. Ющенко // Вплив аміаку на электрофизические характеристики контактів (In2O3+ 5%Sn) – (p – Si) // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. Збірник наукових праць т.2 випуск 4. - Київ, 2004. - с. 1121- 1129. [3] A. Mandelis, C. Christofide, Chem. Anal. (New York) 125 (1993) 19. [4] J.W. Gardner, P.N. Barlett (Eds.), Sensors and Sensory Systems for an Electronic Nose, NATO ASI Series 212, Kluwer, Dordrecht, The Netherlands, 1992. [5] K. Ihokura, J. Watson, The stannic oxide gas sensors, in: Principle and Applications, CRC Press, Boca Raton, 1994. [6] K.J. Albert, N.S. Lewis, C.L. Schauer, G.A. Sotzing, S.E. Sitzel, T.P. Vaid, D.R. Walt, Chem. Rev. 100 (2000) 2595. [7] S. Nakata, H. Okunishi, Applied Surface Science 240 (2005) 366–374.
References (International):	[1] Vikulov V.A., Strikha V.I., Skryshevsku V.A., Kilchitskaya S.S., E. Souteyrand, J - R Martin. Electrical features of the metal-thin porous silicon-silicon structure. Journal of physics. D: Appl. Physics 33 (2000) 1957-1964. [2] S. S. Halak, V. V. Ylchenko, A. M. Korduban, A. P. Shpak, A. V. Yushchenko, Vplyv amiaku na elektrofyzycheskye kharakterystyky kontaktiv (In2O3+ 5%Sn) – (p – Si), Nanosystemy, nanomaterialy, nanotekhnolohii. Zbirnyk naukovykh prats V.2 Issue 4, Kyiv, 2004, P. 1121- 1129. [3] A. Mandelis, C. Christofide, Chem. Anal. (New York) 125 (1993) 19. [4] J.W. Gardner, P.N. Barlett (Eds.), Sensors and Sensory Systems for an Electronic Nose, NATO ASI Series 212, Kluwer, Dordrecht, The Netherlands, 1992. [5] K. Ihokura, J. Watson, The stannic oxide gas sensors, in: Principle and Applications, CRC Press, Boca Raton, 1994. [6] K.J. Albert, N.S. Lewis, C.L. Schauer, G.A. Sotzing, S.E. Sitzel, T.P. Vaid, D.R. Walt, Chem. Rev. 100 (2000) 2595. [7] S. Nakata, H. Okunishi, Applied Surface Science 240 (2005) 366–374.
Content type:	Article
Apareix a les col·leccions:	Науковий семінар „Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики“ (2010)

Els ítems de DSpace es troben protegits per copyright, amb tots els drets reservats, sempre i quan no s’indiqui el contrari.