1. ELARTU — Інституційний репозитарій ТНТУ імені Івана Пулюя
2. Матеріали конференцій, семінарів, читань
3. 2010
4. Науковий семінар „Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики“ (2010)

Назва:	Екситонний спектр масиву шестигранних нанотрубок з врахуванням екситон-фононної взаємодії
Автори:	Маханець, О. Довганюк, М. Цюпак, Н.
Приналежність:	Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Бібліографічний опис:	Маханець О. Екситонний спектр масиву шестигранних нанотрубок з врахуванням екситон-фононної взаємодії / О. Маханець, М. Довганюк, Н. Цюпак // Матеріали наукового семінару “Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики”, 27-28 січня 2010 року — Т. : ТНТУ, 2010 — С. 11-13.
Bibliographic description:	Makhanets O., Dovhaniuk M., Tsiupak N. (2010) Eksytonnyi spektr masyvu shestyhrannykh nanotrubok z vrakhuvanniam eksyton-fononnoi vzaiemodii. Proceedings of the seminar "Actual Problems of Theoretical and Experimental Physics" (Tern., 27-28 January 2010), pp. 11-13 [in Ukrainian].
Є частиною видання:	Матеріали наукового семінару “Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики” Proceedings of the seminar "Actual Problems of Theoretical and Experimental Physics"
Конференція/захід:	Науковий семінар „Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики“
Журнал/збірник:	Матеріали наукового семінару “Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики”
Дата публікації:	27-січ-2010
Дата внесення:	21-лют-2016
Видавництво:	ТНТУ TNTU
Місце видання, проведення:	Україна, Тернопіль Ukraine, Ternopil
Часове охоплення:	27-28 січня 2010 року 27-28 January 2010
Діапазон сторінок:	11-13
Початкова сторінка:	11
Кінцева сторінка:	13
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/12137
Власник авторського права:	© Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя, 2010
Перелік літератури:	[1] Mohan P. Realization of conductive InAs nanotubes based on lattice-mismatched InP/InAs coreshell nanowires / P. Mohan, J.Motohisa, T.Fukui // Appl.Phys.Lett. – 2006. – V. 88. – p.013110-013115. [2] Noborisaka J. Catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective-area metalorganic vaporphase epitaxy / J. Noborisaka, J.Motohisa, T.Fukui // Appl.Phys.Lett. – 2005 . – V. 86. – p. 1222-1228. [3] Tomioka K. Crystallographic Structure of InAs Nanowires Studied by Transmission Electron Microscopy / K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara et al. // Jpn. J. Appl. Phys. – 2007. – V.46. - p.1102-1104. [4] Hashimoto S. Formation of InP and InGaAs Air-Hole Arrays on InP(111) Substrates by Selective-Area Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy / S. Hashimoto, J. Takeda, A. Tarumi et al. // Jpn. J. Appl. Phys. - 2008 . – V.47. - p. 3354-3358. [5] Mohan P. Fabrication of InP/InAs/InP core-multishell heterostructure nanowires by selective area metalorganic vapor phase epitaxy / P. Mohan, J. Motohisa, T. Fukui // Appl. Phys. Lett. – 2006. -. V.88. – p. 133105-133118. [6] John H. D. The physics of low-dimensional semiconductors: an introduction / H. D. John // Cambridge University Press, New York. - 1998.- p.438.
References:	[1] Mohan P. Realization of conductive InAs nanotubes based on lattice-mismatched InP/InAs coreshell nanowires, P. Mohan, J.Motohisa, T.Fukui, Appl.Phys.Lett, 2006, V. 88, p.013110-013115. [2] Noborisaka J. Catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective-area metalorganic vaporphase epitaxy, J. Noborisaka, J.Motohisa, T.Fukui, Appl.Phys.Lett, 2005 , V. 86, p. 1222-1228. [3] Tomioka K. Crystallographic Structure of InAs Nanowires Studied by Transmission Electron Microscopy, K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara et al., Jpn. J. Appl. Phys, 2007, V.46, p.1102-1104. [4] Hashimoto S. Formation of InP and InGaAs Air-Hole Arrays on InP(111) Substrates by Selective-Area Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy, S. Hashimoto, J. Takeda, A. Tarumi et al., Jpn. J. Appl. Phys, 2008 , V.47, p. 3354-3358. [5] Mohan P. Fabrication of InP/InAs/InP core-multishell heterostructure nanowires by selective area metalorganic vapor phase epitaxy, P. Mohan, J. Motohisa, T. Fukui, Appl. Phys. Lett, 2006. -. V.88, p. 133105-133118. [6] John H. D. The physics of low-dimensional semiconductors: an introduction, H. D. John, Cambridge University Press, New York, 1998, p.438.
Тип вмісту:	Article
Розташовується у зібраннях:	Науковий семінар „Актуальні проблеми теоретичної та експериментальної фізики“ (2010)

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.