Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/22967

Назва: Influence of the Space Charge on Tunneling of Electrons and Their Conductivity by the Resonance Tunneling Structures in the Constant Electric Field
Інші назви: Вплив просторового заряду на тунелювання електронів та їх провідність резонансно-тунельними структурами в постійному електричному полі
Влияние пространственного заряда на туннелирование электронов и их проводимость резонансно-туннельными структурами в постоянном электрическом поле
Автори: Бойко, Ігор Володимирович
Петрик, Михайло Романович
Boyko, I. V.
Petryk, M. R.
Приналежність: Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя
Ternopil National Technical University
Тернопольский национальный технический университет имени Ивана Пулюя
Журнал/збірник: Journal of Nano- and Electronic Physics
Журнал нано- та електронної фізики
Том: 9
Дата публікації: 30-чер-2017
Дата подання: 16-січ-2018
Видавництво: JNEP
Країна (код): UA
Місце видання, проведення: J. Nano- Electron. Phys.
DOI: 10.21272/jnep.9(3).03030
Код класифікації з фізики та астрономії (PACS): 73.21.Fg
68.65.Ac
68.65.Cd
Теми: condensed matter physics
resonant-tunneling structure
quantum cascade laser
static charge
dynamic charge
dynamic conductivity
резонансно-тунельна структура
квантовий каскадний лазер
статичний заряд
динамічний заряд
динамічна провідність
резонансно-туннельная структура
квантовый каскадный лазер
статический заряд
динамический заряд
динамическая проводимость
Кількість сторінок: 10
Діапазон сторінок: 03030-1—03030-8
Початкова сторінка: 03030-1
Кінцева сторінка: 03030-8
Серія/номер: 9;
Короткий огляд (реферат): The quantum mechanical theory of spectral parameters and dynamic conductivity of electrons, interacting with field of the created by them space charge in open flat resonance tunneling structure with a constant electric field in the model of rectangular potential wells and barriers has been developed. The influence of space charge on the conductivity of the experimentally realized nanostructures as the active region of a quantum cascade laser for different concentrations of electrons in the falling on the resonance tunneling structure beam, has been investigated.
З використанням моделі прямокутних потенціальних ям і бар'єрів розвинена квантово-механічна теорія спектральних параметрів і динамічної провідності електронів, взаємодіючих із створюваним ними полем просторового заряду у відкритій плоскій резонансно-тунельній структурі з постійним електричним полем. Досліджено вплив просторового заряду на провідність експериментально реалізованої наноструктури як активної області квантового каскадного лазера для різних концентрацій електронів в падаючому на резонансно-тунельну структуру пучку.
С использованием модели прямоугольных потенциальных ям и барьеров развита квантово-механическая теория спектральных параметров и динамической пр оводимости электронов, взаимодействующих с создаваемым ими полем пространственного заряда в открытой плоской резонансно-туннельной структуре с постоянным электрическим полем. Исследовано влияние пространственного заряда на проводимость экспериментально реализованной наноструктуры как активной области квантового каскадного лазера для различных концентраций электронов в падающем на резонансно-туннельную структуру пучке.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elartu.tntu.edu.ua/handle/lib/22967
Власник авторського права: JNEP
URL-посилання пов’язаного матеріалу: http://jnep.sumdu.edu.ua/en/component/content/full_article/2227
References: 1. D. Turčinková, M. I. Amanti, G. Scalari, M. Beck and J. Faist, Appl. Phys. Lett. 106, 131107 (2015). 2. J. M. Wolf, S. Riedi, M. G. Süess, M. Beck and J. Faist, Optics Express. 24, 662 (2016). 3. D. Hofstetter, F. R. Giorgetta, E. Baumann, Q. Yang, C. Manz, and K. Kohler, Appl. Phys. Lett. 93, 221106 (2008). 4. Ju. O. Seti, M. V. Tkach, I. V. Boyko, J. Optoelectron. Adv. M. 14, 393 (2012). 5. Ju. O. Seti, M. V. Tkach, M. V. Pan'kiv, J. Phys. Stud. 20, 1703 (2016). 6. X. Gao, D. Botez, I. Knezevic, J. Appl. Phys. 103, 073101 (2008). 7. M. V. Tkach, Ju. O. Seti, Y. B. Grynyshyn, O. M. Voitsekhivska, Acta Phys. Pol. A. 128, 343-343 (2015). 8. O. O. Celleka, S. Memis, U. Bostanci, S. Ozer, C. Besikci, Physica E. 24, 318 (2004). 9. V. Ryzhii, M. Ryzhii, H. C. Liu, J. Appl. Phys. 91, 5887 (2002). 10. A. B. Pashkovskii, Semiconductors 34, 334 (2000). 11. A. B. Pashkovskii, Semiconductors 43, 1316 (2009). 12. M. V. Tkach, Ju. O. Seti, I. V. Boyko, O. M. Voitsekhivska, Condens. Matter. Phys. 13, 33701 (2013). 13. D. Hofstetter, M. Beck, T. Aellen, J. Faist, Appl .Phys. Lett. 78, 396 (2001).
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації працівників кафедри програмної інженерії

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
jnep_V9_03030[1].pdf549,21 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити
jnep_V9_03030[1].djvu195,78 kBDjVuПереглянути/відкрити
jnep_V9_03030[1]__COVER.png424,68 kBimage/pngПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

Інструменти адміністратора