Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/17903

Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorПетрик, Михайло Романович-
dc.contributor.authorЦуприк, Галина Богданівна-
dc.date.accessioned2016-09-17T11:26:42Z-
dc.date.available2016-09-17T11:26:42Z-
dc.date.issued2015-12-24-
dc.date.submitted2015-10-03-
dc.identifier.citationІ.В. Бойко, М.Р. Петрик, Г.Б. Цуприк, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 4, 04078 (2015)uk
dc.identifier.urihttp://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/17903-
dc.description.abstractУ наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних ям і бар’єрів для електрона, з використанням знайдених розв’язків повного рівняння Шредінгера, розвинена теорія активної динамічної провідності трибар’єрної резонансно-тунельної структури у слабкому електромагнітному полі з урахуванням вкладу детекторних одно- та двофотонних електронних переходів з різними частотами. Показано, що величина вкладу двофотонних переходів у формуванні загальної величини активної динамічної провідності в детекторних переходах не менша 35 %.uk
dc.description.abstractВ приближении эффективных масс и прямоугольных потенциальных ям и потенциалов для эле к- трона, с использованием найденных решений полного уравнения Шредингера, развитая теория ак- тивной динамической проводимости трехбарьерной резонансно-туннельной структуры в слабом элек- тромагнитном поле с учетом вклада детекторных одно- и двухфотонных электронных переходов с раз- личными частотами. Показано, что величина вклада двухфотонных переходов в формировании общей величины активной динамической проводимости в детекторных переходах не менее 35 %.-
dc.description.abstractIn approximations of the effective mass and rectangular potential wells and potentials for the electron, by using solutions of the complete Schrödinger equation, was developed the theory of active dynamic con- ductivity of three barrier resonant tunnel structure in a weak electromagnetic field, taking into account the contribution of detector one- and two-photon electronic transitions with different frequencies. It is shown that the value of the contribution of two-photon transitions in the formation of the total amount of active dynamic conductivity in detector transitions is not less 35 %.-
dc.format.extent04078-1..04078-6-
dc.language.isoukuk
dc.publisherСумський державний університет (м. Суми, Україна)uk
dc.relation.ispartofseriesТом 7, Рік 2015, Номер 4;04078-1 - 04078-6-
dc.subjectнаносистемиuk
dc.subjectрезонансно-тунельна структураuk
dc.subjectквантовий каскадний детектор-
dc.subjectактивна динамічна провідність-
dc.subjectрезонансні енергії-
dc.subjectрезонансні ширини-
dc.subjectдвофотонні електронні переходи-
dc.subjectрезонансно-туннельная структура-
dc.subjectквантовый каскадный детектор-
dc.subjectактивная динамическая проводимость-
dc.subjectрезонансные энергии-
dc.subjectрезонансные ширины-
dc.subjectдвухфотонные электронные переходы-
dc.subjectresonance tunnelling structure-
dc.subjectquantum cascade detector-
dc.subjectactive dynamic conductivity-
dc.subjectresonance energies-
dc.subjectresonance width-
dc.subjecttwo-photon electronic transitions-
dc.titleВнесок детекторних двофотонних електронних переходів у формування динамічної провідності трибар’єрних резонансно-тунельних структурuk
dc.title.alternativeContribution of Two-photon Detector Electronic Transitions in the Formation of Dynamic Conductivity of Three-barrier Resonant Tunneling Structuresuk
dc.title.alternativeВклад детекторных двухфотонных электронных переходов в формировании динамической проводимости трехбарьерных резонансно-туннельных структур-
dc.typeArticleuk
dc.rights.holder© JNEP, 2015uk
dc.format.pages6-
dc.subject.udc538.935uk
dc.subject.udc538.915-
dc.subject.udc538.971-
dc.relation.references1. С. Bonzon, I.C. Chelmus, K. Ohtani, M. Geiser, M. Beck, J. Faist, Appl. Phys. Lett. 104, 161102 (2009). 2. J.M. Wolf, A. Bismuto, M. Beck, J. Faist, Opt. Express 22, 2111 (2014). 3. A. Buffaz, M. Carras, L. Doyennette, A. Nedelcu, X. Marcadet, V. Berger, Appl. Phys. Lett. 96, 172101 (2010). 4. D. Hofstetter, F.R. Giorgetta, E. Baumann, Q. Yang, C. Manz, K. Kohler, Appl. Phys. Lett. 93, 221106 (2008). 5. M.V. Tkach, Ju.O. Seti, I.V. Boyko, O.M. Voitsekhivska, Condens. Matt. Phys. 16, 33701 (2013). 6. M. Tkach, Ju. Seti, I. Boyko, O. Voitsekhivska, Romanian Report. Phys. 65, 1443 (2013). 7. M.V. Tkach, Ju.O. Seti, V.O. Matijek I.V. Boyko, J. Phys. Studies 16, 4701 (2012). 8. E. Saczuk, J.Z. Kaminski, phys. status solidi b 240, 603 (2003). 9. N.V. Tkach, Yu.A. Seti, JETP Lett. 95, 271 (2012). 10. N.V. Tkach, Ju.A. Seti, Semiconductors 48, 590 (2014). 11. A.B. Pashkovskii, JETP Lett. 89, 30 (2009). 12. A.B. Pashkovskii, Semiconductors 45, 743 (2009). 13. N.V. Tkach, Yu.A. Seti, Low Temp. Phys. 35, 556 (2009). 14. N.V. Tkach, Ju.A. Seti, Semiconductors 45, 376 (2011).uk
dc.identifier.citationenI.V. Boyko, M.R. Petryk, H.B. Tsupryk, J. Nano- Electron. Phys. 7 No 4, 04078 (2015)uk
dc.contributor.affiliationТернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя, вул. Руська, 56, 46001 Тернопіль, Україна-
dc.contributor.affiliationТернопольский национальный технический университет имени Ивана Пулюя, ул. Русская, 56, 46001 Тернополь, Украина-
dc.contributor.affiliationTernopil National Technical University, 56, Ruska Str., 46001 Ternopil, Ukraine-
dc.subject.pacs73.21.Ac-
dc.subject.pacs73.40.Gk-
dc.subject.pacs73.63.Hs-
dc.citation.journalTitleЖурнал нано- та електронної фізики-
dc.citation.journalTitleJournal of nano- and electronic physics-
dc.citation.volume7-
dc.citation.issue4-
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації працівників кафедри програмної інженерії

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
jnep_2015_V7_04078.pdf565,4 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити
jnep_2015_V7_04078.djvu386,22 kBDjVuПереглянути/відкрити
jnep_2015_V7_04078__COVER.png535,17 kBimage/pngПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

Інструменти адміністратора